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台积电开发出鳍式场效晶体管组件雏型 (2002.06.12)
台湾集成电路制造公司(TSMC)12日发表已使用现有的生产线设备开发出经过功能验证的鳍式场效晶体管 (Fin Field-effect transistor)组件雏型，此一新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管其闸长已可小于25奈米，未来预期可以进一步缩小至9奈米，大约是人类头发宽度的一万分之一 |
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工研院电子所与台积电携手合作 (2002.03.20)
工研院电子所及台湾集成电路制造公司20日共同宣布，双方于日前正式签订磁电阻式随机存取内存 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 合作发展计划。此计划将结合台积公司前段制程技术及电子所的后段制程技术的优势，除了可实时切入下一世代奈米电子的制程技术开发外，将有助于继续维持我国半导体产业技术的优势 |
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台积公司胡正明博士荣获IEEE 2002年固态电路奖 (2002.02.05)
台积公司(5)日指出，该公司技术长胡正明博士将获颁IEEE 2002年固态电路奖，以表扬其对于金氧半场效晶体管的物理特性及集成电路设计需用的BSIM晶体管模型发展的贡献。
该公司表示，「 胡博士系第二度获得IEEE所颁发的技术领域奖项这是IEEE成立多年来，首次有会员二度获颁此最高荣誉奖 |
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台湾应用材料举办2001年技术研讨会 (2001.06.05)
随着0.10微米制程技术逐渐加温，台湾应用材料特别于6月5日全天假新竹国宾饭店，以「Technology Transition to 0.1um/300mm and Beyond」为题举行全面性的技术研讨会。会中更特别邀请台积公司技术长胡正明博士、IC Insights总裁Bill McClean，及多位业界专家专程来台，与所有半导体业者分享与讨论半导体制程技术的应用趋势与发展蓝图 |
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台积电宣布延聘胡正明博士担任技术长 (2001.05.21)
台积电公司日前宣布，延聘胡正明博士担任台积公司自成立以来的首位技术长一职。胡正明博士将负责研拟台积公司的技术发展策略，包括系统单芯片(System-on-Chip,SoC)等，同时他将负责最尖端技术发展的工作 |
