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Diodes新型高压二极管数组足以抵挡电话线路瞬变 (2010.03.03)
Diodes近日推出MMBD5004BRM四重开关二极管数组,该组件的额定击穿电压为400V,能够针对直接存取配置(DAA)调变解调器尖塞和振铃电话线路接口,以及综合脱机整流应用环境的需要,抵挡最严峻的电话线路瞬变
IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET (2009.05.06)
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列新型逻辑电平闸极驱动沟道HEXFET功率MOSFET,它们具有基准通态电阻(RDS(on))及高封装电流额定值,适用于高功率DC马达和电动工具、工业用电池及电源应用
IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值 (2008.12.22)
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 新组件的封装电流额定值达到195A,较典型封装电流额定值高出60%
IR新200V DirectFET MOSFET提供高达95%效率 (2006.11.23)
功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET,以IR的基准DirectFET封装技术配合IR最新的200V HEXFET MOSFET硅技术,达致95%的效率
Vishay新型电感器问世 (2005.10.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出一款新型电感器,从而扩展了其IHLP超薄高电流电感器系列。该器件采用面积为0.402英寸×0.402英寸(10.2毫米×10.2毫米)、高度为0.157英寸(4.0毫米)的超薄封装,并且具有最低的DCR/µH
泰科电子推出全新电子芯片保险丝 (2004.11.18)
泰科电子Raychem电子部推出适用于笔记本电脑、多媒体设施、移动电话与其他可携式电子设备的全新系列电子芯片保险丝。这款快断式保险丝能够提供高达125伏特交流电的直流电源系统完善的过电流保护,并有助于开发更可靠与高性能的消费性电子产品
快捷1200V IGBT模块实现低功率损耗 (2004.09.29)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块 --FMG2G50US120 和FMG2G75US120,电流额定值分别为50A和75A,具有优化的导通损耗 (VCE(sat)) 对断开关损耗 (Eoff) 比,提供非常低的总体功率损耗,适用范围涵盖焊接设备、不断电系统 (UPS),以及工作频率在10kHz-30kHz的普通变频器
泰科发布LVR系列PolySwitch可复式组件的新产品 (2004.05.25)
泰科电子Raychem电子部门发布了其LVR系列PolySwitch可复式组件的新产品。此款新组件能将最大工作电流额定值从400毫安提高到了550毫安,以保护电子组件免受过电流和过热故障所引起的损坏


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