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2024.1月(第99期)电动车智造 (2024.01.04)
因应2023年落幕的COP28协议要求与会国家，
必须在2030年前提高2倍能源效率，
进而发展碳捕存、道路交通减排等相关技术。
包括电动车在内的新能源车因此将持续成长普及，
控制成本能力则成为竞争胜出关键要素 |
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巨磁阻多圈位置感测器的磁体设计 (2023.12.27)
本文说明设计磁性系统时必须考虑的一些关键因素，以确保在要求严苛的应用中也能可靠运行；并且介绍一种磁性叁考设计，方便早期采用该技术。 |
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适用于磁感测器制造的高产出量选择性雷射退火系统 (2020.11.17)
穿隧式磁阻（TMR）感测器制造商Crocus Technology率先采用全新microVEGA xMR系统进行生产应用 |
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意法半导体让手机和穿戴式装置在室内和封闭空间提升导航性能 (2016.05.13)
意法半导体（STMicroelectronics：简称ST）推出新款电子罗盘，使智慧手机、智慧手表、健身追踪器及其它穿戴式装置拥有更好的导航和健身运动成绩记录功能，即使在卫星导航无法正常工作的情况下，仍能实现出色的定位准确度 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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抢攻主流市场SSD得再加把劲 (2008.10.21)
固态硬盘自研发以来，就被视为储存解决方案的终极产品。因其绝佳的数据读写性能和无使用机械组件的优越耐震性能，因此，许多的厂商都看好SSD有取代传统硬盘的潜力，且争相投入SSD的研发与生产，企图抢占市场先机 |
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摆脱SSD纠缠 日立将于2010年推出5TB硬盘 (2008.07.04)
外电消息报导，日立（Hitachi）日前宣布，将于2010年在市场上推出5TB容量的硬盘机，将以相当于人脑储存容量的优势，摆脱固态硬盘的纠缠。
据报导，为因应SSD逐步侵蚀既有市场，日立将采取尽可能的提升硬盘储存容量的策略 |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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日立奈米技术大突破TB级硬盘容量可望提高四倍 (2007.10.17)
日立与日立环球储存科技宣布，成功研发出超小型硬盘读取磁头技术，预计能将目前的储存容量提高四倍，让桌面计算机与笔记本型计算机的硬盘容量将可分别达到4TB与1TB |
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诺贝尔桂冠贴近产业 (2007.10.10)
硬盘机体积能够越做越小、数据容量却越来越大，这得归功于今年诺贝尔物理奖得主，分别是法国科学家Albert Fert与德国科学家Peter Gruenberg，他们在1988年同时发现了「巨磁阻」(GMR)此一现象，也就是非常微弱的磁场改变会产生更大的电阻改变，业者以敏锐性工具来读取巨磁阻材料，发展出小巧大容量的硬盘(图为诺贝尔奖章与硬盘) |
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创新突破的功率感测电路断路器 (2005.10.01)
对终端电压会因电池放电而变化的电池应用来说，功率监测要比电流监测更加适合而且安全，新一代的芯片产品大都已整合了构成低成本、高效能全硅化芯片功率传感器的大部分功能，将其内部比较器以及参考电压与外部MOSFET开关搭配就可以组成一个功率感测式电路断路器 |
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MRAM──更具行动应用前景的新世代记忆体 (2004.11.04)
MRAM拥有存取速度高、存取次数多、耗电量低及小体积、可嵌入式等特性，较现有的其他记忆体在可携式电子产品的应用上更具优势；本文将由MRAM的技术发展趋势与厂商现况等面向，为读者介绍此一新世代记忆体的应用前景 |
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找寻梦幻内存 (2003.11.05)
内存在最近这几年随着可携式产品的发展，有了许多不同的面貌与空间，在终端产品轻、薄、短、小的要求之下，半导体记忆技术自然脱颖而出，而具备非挥发的特性更是重点，因此本文将就未来内存型态可能的样貌进行探讨 |
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浅谈磁性记忆体技术原理与前景 (2003.11.05)
新一代的磁性随机存取记忆体不仅拥有flash的非挥发特性，DRAM的高集积度以及SRAM的高速存取特性；同时MRAM还具有相当高的的读写次数寿命，几乎是兼具现有三大记忆体的优点，所以被称为下一代的梦幻记忆体 |
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巨磁阻随机存取记忆体(MRAM)工作原理及未来产域应用 (2000.09.01)
由台湾厂商投资的美国联邦先进半导体科技公司(Union Semiconductor Technology)于7月在台发表巨磁阻随机存取记忆体(MRAM)，掀起国内外各界对未来记忆体的发展产生极大的兴趣。 |
