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富士通采用力旺嵌入式非挥发性内存 (2008.05.28)
力旺电子宣布其与日商富士通微电子有限公司合作，富士通微电子采用力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存硅智财，开发0.18微米高压及逻辑制程平台。富士通微电子藉此平台可提供更完整的专业晶圆代工制造服务 |
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力旺与美格纳合作量产可修改嵌入式内存 (2008.02.19)
力旺电子与半导体制造厂商美格纳(MagnaChip)共同宣布，力旺获专利的非挥发性电性可修改(Neobit)嵌入式内存，已可于MagnaChip 0.18微米CMOS逻辑制程上提供量产。该技术不只应用在CMOS逻辑制程，还可以应用在高压制程上 |
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力旺嵌入式内存技术荣获「国家发明奖金牌」 (2005.10.04)
力旺电子宣布，其开发完成之Neobit嵌入式非挥发性内存技术专利，获颁「94年国家发明创作奖」之发明奖金牌。
力旺电子致力于Neobit创新组件技术之开发，由徐清祥、沈士杰、何明洲共同发明之「一种半导体记忆装置」为Neobit技术之重要专利 |
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力旺电子推出可程序RFID 解决方案 (2004.08.04)
为因应RFID无线射频识别系统发展趋势与强大的应用需求，力旺电子宣布推出可程序RFID 解决方案，此解决方案使用了力旺电子开发之Neobit逻辑制程可程序嵌入式内存技术。
力旺电子开发之可程序RFID 解决方案取代EEPROM担任RFID Tag记忆单元的功能 |
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Dialog、特许及力旺合作 推出手机彩色LCD驱动器 (2004.06.24)
无线产品开发混合信号方案厂商Dialog Semiconductor宣布推出针对移动电话市场的彩色液晶显示(LCD)驱动器新产品线。该产品制造使用了全球三大半导体代工厂商之一的新加坡特许半导体制造公司(Chartered Semiconductor Manufacturing)的制程方案，并且采用嵌入式非挥发性内存技术开发厂商力旺电子的设计方案 |
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力旺电子发表SD/MMC快闪记忆卡控制芯片 (2004.05.09)
力晶集团旗下的力旺电子日前发表一款逻辑制程可程序SD/MMC快闪记忆卡控制芯片，准备抢攻全球两亿片市场大饼。力旺表示，该产品已通过数字相机、PDA、卡片阅读机等数家国际品牌250项以上的兼容性测试，预计将于六月进入量产阶段 |
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台积电获力旺Neobit技术授权 (2003.11.17)
力旺电子（EMTC）日前与台积电签订技术许可协议，力旺将授权其开发之Neobit OTP嵌入式非挥发性内存技术予台积电。力旺之Neobit OTP嵌入式非挥发性内存技术已于台积电完成验证，0.35um、0.25um之制程开发已趋完成，0.18um，0.13um以及更先进制程技术之开发正积极进行中 |
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力旺推出Neobit IP (2003.04.22)
力旺电子(EMTC)日前推出Neobit矽智财。 Neobit可取代目前ROM code、EPROM/Flash在微控器上的应用，由于Neobit可在晶片制作完成，测试或构装完之后再进行可程式之动作，而ROM则必须在晶片制作完成之前即要把程式码写入 |
