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Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流,提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲
TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器(TI)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度
Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準,可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm:normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今(19)日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平台固有的優勢
Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏(PV)系統採用Transphorm氮化鎵平台,DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管(FET),導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案
Transphorm新款SuperGaN FET驅動器方案適合中低功率應用 (2023.06.16)
全球氮化鎵(GaN)功率轉換產品供應商Transphorm 發佈一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案針對中低功率的應用,適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦,強化公司在此30億美元電力市場客戶的價值主張
Transphorm獲得美國能源部合約 提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05)
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分,透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開,包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS)
Silicon Labs強化隔離式閘極驅動器陣容 減半延遲提升瞬態抗擾性 (2020.10.27)
芯科科技(Silicon Labs)宣布推出新型Si823Hx/825xx隔離式閘極驅動器,結合更快速、安全的開關、低延遲和高雜訊抗擾性,可更靠近功率電晶體放置,實現精小的PCB設計。這些取得新進展的閘極驅動器可協助電源轉換器設計人員達到、甚至超越不斷演進的效能標準及尺寸限制,同時採用SiC、GaN和快速Si FET等新興技術
太陽能逆變器重要性看漲 產能集中美中德等國 (2019.07.29)
隨著傳統能源供應的日漸短缺,新能源的開發和利用已經提前浮上檯面。太陽能是綠色能源中最重要的能源選項,開發利用太陽能的應用,可節約能源,更有利於環保。太陽發電系統以其設備安裝方便簡單、獨立、靈活性強、適用性廣等特點,並已經受到各國政府的普遍重視
意法半導體超接面MOSFET瞄準節能型功率轉換拓樸 (2019.01.16)
意法半導體(ST)新款MDmesh系列600V超接面晶體管是為提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓樸的效能而設計。針對軟開關技術優化的閘極開啟電壓使新型晶體管適用節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器
EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍 (2017.03.17)
全球增?型氮化鎵電晶體廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)推出全新的EPC2045(7微歐姆、100 V)及EPC2047(10 微歐姆、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本
Silicon Labs隔離閘極驅動器推動高速電源系統發展 (2016.03.02)
Silicon Labs(芯科實驗室)推出新型隔離閘極驅動器系列產品,滿足最新電源系統的關鍵需求。新型Si827x ISOdriver系列產品基於Silicon Labs的數位隔離技術,提供閘極驅動器市場中高抗雜訊能力
Silicon Labs推出10kV突波保護的數位隔離新品 (2015.11.09)
工業自動化和網路基礎設施領域中數位隔離技術供應商Silicon Labs(芯科實驗室)推出具備高壓隔離柵的新型多通道數位隔離器系列產品,其設計能耐受10kV突波衝擊。新型Si86xxxT數位隔離器系列產品基於Silicon Labs專有的電容隔離技術,為要求嚴苛的各類工業應用提供了二次側雷擊防護,同時增加了系統可靠性
德州儀器推出支援業界極低功耗智慧旁路二極體 (2013.04.09)
德州儀器 (TI) 宣佈推出一款業界最低功耗 (power dissipation) 的智慧旁路二極體 (bypass diode) ,採用標準表面黏著 (surface-mount) 封裝並支援 15A 電流處理功能。在標準應用中,與採用三個傳統蕭特基二極體 (Schottky diode) 的類似接線盒 (junction box) 相比,每個 SM74611 可將功耗銳減 80%,還可將接線盒內的運作溫度降低 50 ℃
中國推分散式發電 有助微型逆變器成長 (2012.11.02)
太陽能發電是公認綠色環保的能源方式,然而由於太陽發電板所處的環境通常在戶外,環境惡劣,只要一有烏雲、髒污,或者陽光角度與向陽方位不同時,都會影響發電效率
昱輝陽光:太陽能產業整合將不斷發生 (2012.10.04)
儘管目前正值太陽能產業的黯淡寒冬,各家研究單位的數據紛紛顯示,今年的太陽能產業依舊不好過。然而寒冬歸寒冬,黯淡歸黯淡,該做的事情還是得做,太陽能產業的技術研發依舊如火如荼地進行著
德國政府啟動太陽能新補助政策 (2012.03.19)
德國政府宣布自2012年3月9日起,將啟動新一波的太陽能補助政策,當中的要點除了補助金額浮動調整外,地面系統大於10MW也將停止補助,並預計於2013年1月1日起實施部分買回措施,集邦科技分析部門EnergyTrend認為這項政策的改變,將對德國市場產生深遠的影響
走自己的路 (2011.11.07)
世界一流的電子代工服務公司鴻海,其獨門的eCMMS電子化零組件、模組機光電垂直整合服務商業模式縱橫全球市場,但現在股價只有70塊上下,是以前的幾 分之幾而已。鴻海的危機其實不是個案
太陽光電逆變器的認證與發展關鍵 (2011.10.17)
作為電源供應的設備,逆變器一般所需要取得的驗證包含轉換效率、功能特性與電氣安全。其中以電氣安全最為重要;轉換效率則與投資報酬及政府補助有極大關聯;功能特性中則以電壓與頻率穩定率因及負載穩定性相關,也是普遍受產業重視的兩大重要特性


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10 Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC

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