 |
聯電40奈米RFSOI平台優化毫米波射頻前端 加速5G裝置開發 (2023.05.03)
聯華電子今（3）日宣布，40奈米RFSOI製程平台可供量產毫米波（mmWave）的射頻（RF）前端製程產品，推動5G無線網路的普及，與包括在智慧手機、固定無線接入（FWA）系統和小型基地台等方面的應用 |
|
瑞薩與AMD合作5G射頻和數位前端設計平台 (2023.02.21)
因應行動網路基礎設施市場的需求不斷增長，瑞薩電子（Renesas Electronics）與AMD合作展示用於5G主動式天線系統（AAS）無線電的完整射頻前端解決方案。搭配經過實地驗證的AMD Zynq UltraScale+ RFSoC數位前端OpenRAN無線電（O-RU）參考設計，射頻前端包括射頻開關、低雜訊放大器和預驅動器 |
|
恩智浦推出5G前端解決方案 助提升5G網路覆蓋範圍和品質 (2022.09.26)
因應全球5G網路持續增加，越來越多行動網路業者在人口密度較低的城市區域與郊區採用32T32R解決方案，藉以提升大規模MIMO基站的訊號覆蓋範圍，卻必須使用更高功率的射頻裝置，並提升每個通道的功率等級（power level），而確保5G訊號覆蓋所需的總功率 |
|
EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
|
R&S聯合FormFactor 支持德州大學強化5G和6G研究 (2022.01.21)
德克薩斯大學奧斯丁分校、Rohde & Schwarz和FormFactor合作開發了一種新的射頻開關技術，該技術可以提高電池壽命，支援更高的頻寬和切換速度。
2020年，美國德克薩斯大學奧斯丁分校(UT Austin)發表了一項關於六方氮化硼(hBN)射頻開關創新技術的研究成果 |
|
Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準 |
 |
商機緩著陸 5G毫米波加速發展看2024-2025年 (2021.03.05)
2019年5G(第五代行動通訊網路)時代揭開序幕，5G網速10倍於4G，挾高速、高頻寬、低延遲及廣連結等特性，可商用於智慧型手機、IoＴ、AR/VR、自駕車、智慧醫療等領域。想要透過更高頻波長傳輸更大量數據，5G使用的頻段扮演重要角色 |
|
用於射頻前端模組的異質三五族CMOS技術 (2020.02.10)
隨著首批商用5G無線網路陸續啟用，愛美科為5G及未來世代通訊應用準備了下世代的行動手持裝置。 |
|
TrendForce解析2020年十大科技趨勢 (2020.01.09)
集邦科技（TrendForce）旗下的垂直領域研究單位眾多，包含DRAM、顯示、綠能與LED等，橫跨了多項台灣主流的科技產業。對於2020年，他們的動見觀瞻極具指標性。 |
|
TrendForce發布2020年十大科技趨勢 5G扮火車頭 (2019.10.03)
全球市場研究機構TrendForce針對2020年科技產業發展，整理十大科技趨勢：
AI、5G、車用三箭頭，帶動半導體產業逆勢成長
2019年在中美貿易戰影響下，全球半導體產業呈現衰退 |
|
MACOM宣布推出全新的優化負電壓驅動器 (2019.01.21)
MACOM Technology Solutions Inc.宣布推出兩款全新的負電壓驅動器，能夠無縫兼容MACOM全系列AlGaAs和HMIC PIN二級管開關產品。相比分立元件的驅動方案，全新集成的MADR-011020和MADR-011022用於驅動MACOM的PIN二級管，可有效簡化PCB布局，降低元器件成本並縮短項目研發周期 |
|
英飛凌 Bulk-CMOS 射頻開關產量逾50億組 (2018.07.31)
英飛凌科技股份有限公司於 2008 年開始量產第一個 Bulk-CMOS 射頻 (RF) 開關。接著在 5G 時代的曙光中，英飛凌精良的產品組合與產品獲得全球無線市場創新業者前所未有的歡迎 |
|
埃賦隆半導體推出面向射頻能量應用的ISM訊號產生器IC (2018.04.09)
埃賦隆半導體（Ampleon）宣佈推出BLP25RFE001小訊號產生器IC，它提供一個可程式頻率合成器，可產生位於433、915和2,400MHz ISM頻段內的訊號。該器件特別設計用於各種射頻能量應用，例如工業加熱、解凍和烹飪以及電漿照明 |
|
英飛凌供應LNA 獲三星「卓越品質獎」 (2017.11.27)
英飛凌獲三星電子頒贈 2017 年第二季半導體供應商類別「卓越品質獎」，英飛凌因供應低雜訊放大器 (LNA) 予三星 Galaxy 智慧型手機系列而獲得肯定。
三星電子全球 CS (客戶滿意) 團隊執行副總裁 Kim Kyeongjun 表示：「英飛凌透過持續的努力及與三星的合作，在品質改善及客戶滿意度方面做出了很大的貢獻 |
|
東芝推出低插入損耗的智慧型手機射頻開關SOI製程 (2015.11.25)
東芝公司（Toshiba）半導體與儲存產品公司研發新一代TarfSOI（東芝先進的射頻絕緣矽（SOI））製程—TaRF8，該製程針對射頻（RF）開關應用進行最佳化，實現低插入損耗。採用新製程製造的SP12T射頻開關IC適用於智慧型手機，樣品出貨將於2016年1月啟動 |
 |
ADI推出2-50 GHz分佈式功率放大器 (2015.07.15)
全球高效能半導體訊號處理解決方案廠商亞德諾半導體（ADI）推出HMC1127與HMC1126 MMIC（單晶微波積體電路）分佈式功率放大器。這些新型功率放大器裸晶（die）涵蓋2-50 GHz頻率範圍，可簡化系統設計和提高性能，頻段之間無需射頻開關 |
|
IDT推出高隔離性與線性射頻開關 (2014.11.13)
IDT推出高隔離性與線性射頻開關
IDT公司日前推出了F2912開關，此開關為半導體公司首次規劃的新射頻（RF）開關產品系列。F2912具有先進的低插入損耗、高隔離度及線性等整合特色，是在進行微波回載及前載、檢測設備、有線電視頭端，WiMAX射頻、無線系統與一般開關應用基地台（2G、3G與4G）等工作時的最佳選擇 |
|
ANADIGICS 的 Wi-Fi 前端FEIC (2012.11.27)
ANADIGICS宣佈推出 802.11n 及 802.11ac Wi-Fi 應用的四款前端積體電路 (FEIC)。該公司的 FEIC 提供領先業界的整合度、效率及線性度，對於智慧型手機、平板電腦、小筆電、筆記型電腦及遊戲機等行動裝置，能大幅縮短上市時程、提升電池續航力及達到最大傳輸量 |
|
ANADIGICS發表新型高功率雙頻前端積體電路 (2009.07.24)
ANADIGICS, Inc發表新型高功率、雙頻段前端積體電路（FEIC），應對受尺寸限制的行動電子設備對WiFi性能不斷增長的需求。AWL9966是高整合設備，具有整合藍牙路徑，以4×4×0.6 mm的小型封裝為高性能的緊湊型WiFi前端提供所需的全部射頻放大器和射頻開關 |
|
3G手機功能整合設計挑戰 (2005.12.05)
對於複雜度與3G手機相同的系統，結合SiP封裝和系統單晶片技術或許是理想的實作方式。但採用CMOS技術的系統單晶片整合，卻能實作高效能的類比數位轉換器和數位類比轉換器以及強大的電源管理功能 |
