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英飛凌70奈米DRAM溝槽式技術有突破性發展 (2004.12.15)
在舊金山舉辦的IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)會議中，英飛凌科技公司發表了一種使用在未來DRAM世代的可量產化之70奈米製程技術，採用300mm晶圓的深度溝槽(deep trench, DT)單元之方式


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