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電子高峰會：晶圓製程挑戰多 Tela絕招走江湖 (2010.05.07)
當晶圓製程從45奈米進入28奈米甚至更微型化的階段時，其所需面對的問題則更為複雜，在實體架構設計（physical design）、DFM（design for manufacturing）、光學微影技術（Lithography）和漏電流等製程上的挑戰更為嚴峻 |
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中芯國際採用ARM Physical IP低耗電與高效能設計 (2006.05.30)
晶圓代工廠商中芯國際集成電路製造有限公司與ARM共同宣佈，中芯國際的90奈米LL(低漏電)與G(主流)製程，已採用隸屬於Artisan Physical IP之ARM Metro低耗電/高密度及Advantage高效能產品 |
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ARMDesignStart計畫正式啟動 (2005.04.13)
ARM發表新推出的DesignStart計畫，將協助開發業者取得由台積電、聯電、中芯國際、以及特許半導體等廠商代工的ARM7TDMI處理器。此項計畫將使用ARM透過併構建立的Artisan實體層IP產品網站通路，協助客戶透過網站免費取得ARM7TDMI處理器的DesignStart套件 |
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