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貿澤電子、安森美和Wurth Elektronik合作為下一代太陽能和儲能系統提供解決方案 (2024.12.09)
2024年12月9日 – 全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與安森美和Wurth Elektronik合作，一同滿足太陽能逆變器市場持續成長的需求。
全球逆變器市場的成長動力來源，主要來自微型逆變器和串式逆變器在安裝上的便利性，以及對再生能源基礎架構投資的增加 |
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為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流 (2024.08.27)
本文探討綠氫的原理，並且展示如何運用功率組件，將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。 |
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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
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三菱電機將推出商用雙向無線電用的新型RF高功率MOSFET模組 (2022.07.14)
三菱電機株式會社宣布將於8月1日推出一款50W矽射頻（RF）高功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）模組，用於商用雙向無線電的高頻功率放大器。該模組提供先進的763MHz至870MHz頻段內功率輸出50W，整體效率可達到40%，將有助於擴大無線電通信範圍並降低功耗 |
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東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備 (2022.01.27)
東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容 |
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英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飛凌科技利用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板，成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組。此半橋式裝置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B兩種封裝型式，導通電阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V裝置採用高性能陶瓷，因此適合高功率密度應用，如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等 |
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貿澤供貨Microchip AgileSwitch相腳功率模組 整合MOSFET和二極體優點 (2020.10.16)
半導體與電子元件、授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布即日起供貨Microchip Technology最新的AgileSwitch相腳SiC MOSFET模組。此模組體積輕巧且具高整合度，整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二極體，將兩種裝置的優點結合到同一個解決方案之中 |
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英飛凌推出伺服馬達專用的碳化矽MADK評估板 (2020.09.09)
馬達應用佔了電力電子應用市場的主要區塊。英飛凌科技宣佈推出CoolSiC MOSFET模組化應用設計套件(MADK)評估板，有助縮短該相關應用的產品上市時間。EVAL-M5-IMZ120R-SIC評估板是最高7.5kW馬達的MADK平台系列之一員，特別針對伺服馬達應用所設計的3相變頻器板 |
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英飛凌推出62mm CoolSiC模組 開闢碳化矽全新應用 (2020.07.17)
英飛凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了250kW以上（此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門 |
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英飛淩推出分離式CoolSiC MOSFET模組化評估平台 助碳化矽成為主流 (2020.05.25)
雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200V CoolSiC MOSFET採用TO247 3針腳和4針腳封裝的驅動選項，英飛凌科技推出模組化評估平台，其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板，驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡；其他版本將於近期內推出 |
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Power Integrations SCALE-iDriver IC現已通過汽車AEC-Q100認證 (2018.06.12)
Power Integrations宣佈其SCALE-iDriver閘極驅動IC系列的兩個成員現已通過AEC-Q1001級認證，可供汽車使用。
SID1132KQ和SID1182KQ這兩個零件適用於驅動650V、750V和1200V汽車IGBT和SiC-MOSFET模組，其額定峰值電流分別為+/-2.5A和+/-8A |
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宏微科技推出大功率低壓MOSFET模組 (2016.10.14)
在全世界積極推展清潔能源的同時，另一方面如何協助更有效率使用能源也是一大課題，宏微科技已成功開發出多款大功率低壓MOSFET模組，該系列產品讓電力電子工程師在設計低壓大電流應用來得更容易，模組化外殼也顯著地減低系統整機的運轉溫度，解決了大功率MOSFET線路設計的各種麻煩 |
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快捷半導體全新 MOTION SPM 5 系列產品 (2013.07.11)
馬達控制系統設計人員需要能在嚴苛應用環境提供最佳化效率、確保最大可靠度的解決方案。為了應對這一挑戰，快捷半導體公司已開發 SPM 5 智慧型功率模組系列，提供 3 相 MOSFET 變頻器(Inverter)解決方案 |
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ROHM領先業界正式展開量產 蕭特基二極體碳化矽(SiC) MOSFET模組 (2013.07.10)
主旨
半導體製造商ROHM株式會社(總公司：日本京都市)已正式將適用於工業裝置、太陽能發電功率調節器(Power conditioner)等變流器/轉換器(inverter/converter)的碳化矽(SiC) MOSFET模組(額定規格1200V/ 180A)投入量產 |
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快捷推出FDMS36xxS功率級非對稱雙MOSFET模組 (2011.06.23)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）近日宣布，推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模組。
FDMS36xxS系列元件在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET，以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體 |
