帳號:
密碼:
相關物件共 559
(您查閱第 頁資料, 超過您的權限, 請免費註冊成為會員後, 才能使用!)
安森美與伍爾特電子攜手 升級高精度電力電子應用虛擬設計 (2024.11.17)
安森美 (onsemi) 和伍爾特電子(Wurth Elektronik)宣佈,伍爾特電子的無源元件資料庫已整合到安森美獨特的PLECS模型自助生成工具 (SSPMG) 中。 SSPMG 是基於 Web 的平臺,介面直觀、簡單易用,協助工程師針對複雜的電力電子應用定製高精度、高擬真 PLECS 模型,以儘早發現和修復設計過程中的性能瓶頸
Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計,功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合,具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸,旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求
ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年來,汽車和工業設備朝高電壓化方向發展,市場開始要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業設備逆變器等應用中的功率元件支援高電壓。半導體製造商ROHM針對車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101、1200V耐壓、實現業界頂級低損耗和高短路耐受能力的第4代IGBT
SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽(SiC)市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。
ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長,尤其是在永續經營和急需創新的市場方面,先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展(electronica 2024),展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術,並進行技術交流合作
Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計,實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸,適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合,
Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流,提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體,為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案,專為保護碳化矽(SiC)MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計
英飛凌HybridPACK Drive G2 Fusion結合矽和碳化矽至電動汽車先進電源模組 (2024.10.16)
英飛凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion,為電動汽車領域的牽引逆變器確立新的電源模組標準。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款結合英飛凌矽(Si)和碳化矽(SiC)技術,可隨插即用的電源模組
電動壓縮機設計核心-SiC模組 (2024.09.29)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心零組件,對於電驅動系統的溫度控制具有重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續航里程均至關重要,本文主要討論SiC MOSFET 離散元件方案
用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放,世界各國政府紛紛推出立法,要求提高電動馬達的效率。
ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC,非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產,包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」
意法半導體新車規單晶片同步降壓轉換器讓應用設計更彈性化 (2024.08.29)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出新系列汽車級降壓同步DC/DC轉換器,新產品有助於節省電路板空間,簡化車身電子、音訊系統和逆變器閘極驅動器等應用設計。A6983轉換器系列包括六款低功耗、低雜訊非隔離型降壓轉換器和一款隔離型降壓轉換器A6983I
為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流 (2024.08.27)
本文探討綠氫的原理,並且展示如何運用功率組件,將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。
開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品,是來自德州儀器(TI)一款業界首創的650V三相智慧功率模組(Intelligent Power Module;IPM)-「DRV7308」,適用於250W馬達驅動器應用。
熱泵背後的技術:智慧功率模組 (2024.07.26)
熱泵是一種用於製冷和供暖的多功能、高效能技術。而高品質封裝技術的關鍵,在於能夠保持出色散熱性能的同時優化封裝尺寸,並且不降低絕緣等級。
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE,這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出,支援量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低
安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組,與其他同類產品相比,該模組的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來出色的效能表現,有助於降低系統成本並簡化設計
CGD與Qorvo合作開發馬達控制應用的GaN參考設計及評估套件 (2024.06.07)
無晶圓廠潔淨技術半導體Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發氮化鎵(GaN)器件,近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的參考設計和評估套件(EVK)
功率循環 VS.循環功率 (2024.05.29)
緩解效應意味著經典的「功率循環」失效機制不會對壓接型元件的壽命產生影響,這也是設計應用於鐵路、船舶推進系統和電解工廠的原因之一。


     [1]  2  3  4  5  6  7  8  9  10   [下一頁][下10頁][最後一頁]

  十大熱門新聞
1 意法半導體三相馬達驅動器整合評估板加速強化性能
2 Pilz開放式模組化工業電腦適用於自動化及傳動技術
3 SKF與DMG MORI合作開發SKF INSIGHT超精密軸承系統
4 宜鼎E1.S固態硬碟因應邊緣伺服器應用 補足邊緣AI市場斷層
5 Microchip支援NIDIA Holoscan感測器處理平台加速即時邊緣AI部署
6 Flex Power Modules為AI資料中心提供高功率密度 IBC 系列
7 瑞薩全新RA8 MCU系列將Arm Cortex-M85處理器高效引入成本敏感應用
8 Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC
9 ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力
10 英飛凌首款20 Gbps通用USB周邊控制器提供高速連接效力

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: [email protected]