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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程簡化與顯著的面積縮減，為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）開闢了微縮新途徑 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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國研院攜手台積電 成功開發磁性記憶體技術 (2024.02.20)
國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊 |
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工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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突破相機性能極限 imec展示全新次微米像素彩色成像技術 (2023.12.12)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一套能在次微米（sib-micron）等級的解析度下忠實分割色彩的全新技術，採用的是在12吋晶圓上製造的傳統後段製程 |
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英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點 (2023.12.12)
英特爾公開多項技術突破，為公司未來的製程藍圖保留了創新發展，凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議（IEDM）上，英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導體）電晶體的最新進展 |
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創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰 |
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imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮 |
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打造6G射頻設計利器 imec推出熱傳模擬架構 (2022.12.06)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）利用一套蒙地卡羅（Monte Carlo）模型架構，首次展示如何透過微觀尺度的熱載子分佈來進行先進射頻元件的3D熱傳模擬，用於5G與6G無線傳輸應用 |
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掌握鐵電記憶體升級關鍵 imec展示最新介面氧化技術 (2022.12.06)
於本周舉行的2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一款摻雜鑭（La）元素的氧化鉿鋯（HZO）電容器，成功取得1011次循環操作與更佳的電滯曲線（電場為1.8MV/cm時，殘留極化值達到30μC/cm2），並減緩了喚醒效應 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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記憶體不再撞牆！ (2022.01.21)
新一代的高效能系統正面臨資料傳輸的頻寬限制，也就是記憶體撞牆的問題，運用電子設計自動化與3D製程技術.... |
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領先全球！工研院研發28nm鐵電記憶體與記憶體內退火加速晶片 (2021.12.19)
工研院在美國舊金山的2021國際電子元件研討會(2021 IEDM)中，發表可微縮於28奈米以下的鐵電式記憶體，具高微縮性與高可靠度，唯一能同時達到極低操作與待機功耗的要求，未來更可應用在人工智慧、物聯網、汽車電子系統 |
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旺宏電子總經理盧志遠博士榮獲2020 TWAS院士 (2019.12.17)
旺宏電子總經理盧志遠博士近日獲選為「世界科學院」（The World Academy of Sciences；TWAS）2020年新任院士，以表彰他在半導體物理與元件技術的卓越貢獻。
盧志遠博士獲選TWAS「工程科學」(Engineering Sciences)學門院士 |
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工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory；MRAM）相關技術重要論文，引領創新研發方向，並為新興記憶體領域中發表篇數最多者 |
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創新FDSOI能帶調製元件雙接地層Z2FET (2018.02.02)
本文介紹一個創新的依靠能帶調製方法的快速開關 Z2-FET DGP元件，該元件採用先進的FDSOI製造技術，具有超薄的UTBB，並探討在室溫取得的DC實驗結果。 |
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旺宏電子總經理盧志遠獲頒中華民國科技管理學會「科技管理獎」 (2017.12.01)
旺宏電子今日宣布，總經理盧志遠博士榮獲第十九屆中華民國科技管理學會「科技管理獎」。中華民國科技管理學會今)日由理事長吳思華頒贈「科技管理獎」予盧志遠總經理，以表彰他在科技管理上的傑出表現 |
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旺宏電子3D NAND記憶體等四篇論文入選2017 IEDM (2017.11.29)
旺宏電子今日宣布，今年計有四篇論文入選國際電子元件大會IEDM，其中一篇探討3D NAND創新結構的論文更獲得大會評選為”亮點論文”（Highlight Paper），是今年台灣產學研界唯一獲選的亮點論文 |
