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應用材料新一代電子束系統技術加速晶片缺陷檢測 (2025.02.25)
電子束成像一直是重要的檢測工具,可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統,幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束(eBeam)技術結合先進的AI影像辨識,能夠提供更精準、快速分析先進晶片的奈米級缺陷
科林研發新型導體蝕刻機台具備新穎電漿處理技術 (2025.02.25)
Lam Research科林研發推出先進的導體蝕刻機台 Akara ─ 突破創新電漿蝕刻領域的效能。Akara 具備新穎的電漿處理技術,可實現 3D 晶片製造所需的卓越蝕刻精度和效能,助力晶片製造商克服面臨的關鍵微縮挑戰
鎧俠與SanDisk攜手突破3D快閃記憶體技術 NAND速度達4.8Gb/s (2025.02.20)
Kioxia Corporation(鎧俠)與SanDisk近日共同宣布,在3D快閃記憶體技術上取得重大突破,推出業界領先的技術,不僅實現了4.8Gb/s的NAND介面速度,更在功耗和密度方面表現卓越
貿澤電子2024年新增逾60家製造商 持續為客戶擴充產品系列 (2025.02.06)
全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 於2024年在其領先業界的產品系列中新增超過60家製造商,持續為世界各地的電子裝置設計工程師和採購專業人員擴展產品選擇
SEMI:2025年將啟動18座新晶圓廠建設 (2025.01.08)
根據國際半導體產業協會(SEMI)最新發布的「全球晶圓廠預測報告」,預計 2025 年全球半導體產業將啟動 18 座新晶圓廠建設項目,其中包括3座200mm晶圓廠和15座300mm晶圓廠,大部分預計將於 2026年至2027年投產
CES 2025:群聯於推出PCIe Gen5全方位SSD儲存方案 (2025.01.08)
群聯電子(Phison)於2025年國際消費電子展(CES) 中展示最新儲存創新成果。本次展出焦點為全新PS5028-E28 PCIe Gen5 SSD控制晶片,採用台積電先進的6nm製程,實現14.5GB/s讀寫順序速度;同時,群聯高效能的PS5031-E31T SSD控制晶片也已與美光 (Micron)最新的G9 NAND以及KIOXIA BiCS8 NAND完成驗證,並且已開始量產
慧榮捐贈內視鏡診療設備 助力新竹臺大分院提升照護品質 (2024.12.25)
癌症的早期診斷與精準治療是改善患者存活率與生活品質的重要關鍵。全球NAND快閃記憶體控制晶片廠商慧榮科技捐贈內視鏡診療設備助力新竹臺大分院推動醫療創新,並且提升癌症病人的照護品質
GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧(Generative AI, GenAI)與邊緣運算的快速發展,全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心,3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率,成為支撐AI應用的關鍵基石,默默扮演著「隱形推手」的角色
研究:2024年前三季全球晶圓製造設備市場成長3% 記憶體成核心驅動力 (2024.11.26)
根據Counterpoint Research最新數據顯示,2024年前三季全球前五大晶圓製造設備(WFE)廠商的總營收年增3%,其中記憶體市場需求的強勁拉動成為關鍵推手,特別是高頻寬記憶體(HBM)和DRAM的需求大幅提升
美光高速率節能60TB SSD已通過客戶認證 (2024.11.14)
美光科技宣布其6550 ION NVMe SSD已通過客戶驗證。美光 6550 ION SSD 是全球最高速率的 60TB 資料中心 SSD,亦為業界首款 E3.S 及 PCIe Gen5 60TB SSD,這項產品延續 6500 ION SSD 獲獎的成功經驗,提供同級最佳運算、節能、耐久、安全以及機櫃容量表現,適用於超大規模資料中心
宜鼎E1.S固態硬碟因應邊緣伺服器應用 補足邊緣AI市場斷層 (2024.11.13)
隨著AI與5G技術發展大幅提升資料吞吐量、處理需求愈加碎片化,追求高儲存密度、高效能的邊緣運算呈現增長態勢。宜鼎國際 (Innodisk)推出E1.S邊緣伺服器固態硬碟 (SSD),在散熱與出色效能之間取得最佳化平衡,銜接目前傳統工控SSD與資料中心SSD間的市場斷層缺口
慧榮獲ISO 26262 ASIL B Ready與ASPICE CL2認證 提供車用級安全儲存方案 (2024.11.08)
慧榮科技獲 ISO 26262 ASIL B Ready 與 ASPICE CL2 認證,彰顯其儲存解決方案在汽車安全與軟體開發流程中的高標準與可靠性。隨著電動車與自駕車的逐漸普及,對安全、高效能資料儲存方案的需求比以往更為重要
默克於韓國安城揭幕旋塗式介電材料應用中心 深化下一代晶片技術支持 (2024.10.24)
默克,正式宣布在韓國安城揭幕最先進的旋塗式介電材料(Spin-on-Dielectric, SOD)應用實驗室。為因應半導體產業中人工智慧蓬勃發展的趨勢,該應用中心將加速開發用於先進記憶體和邏輯晶片的SOD材料
2GB、50美元!第五代樹莓派降規降價 (2024.08.30)
自2012年樹莓派(Raspberry Pi, RPi)單板電腦推出以來,就一直有個默契性的官宣價格天花板,但這個天花板在2019年第四代樹莓派(RPi 4)推出後被打破,開始有45美元、55美元官宣價的型款
HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。 儘管HBM在性能上具有顯著優勢,但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。 TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵,但也帶來了測試的複雜性
AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性,特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展,對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能,以滿足市場需求
慧榮科技於FMS 2024推出高效PCIe Gen5 SSD控制晶片 (2024.08.07)
慧榮科技針對AI PC和遊戲主機設計推出一款PCIe Gen5 NVMe 2.0消費級SSD控制晶片SM2508。SM2508是全球首款採用台積電6奈米EUV製程的PCIe Gen5消費級SSD控制晶片,相較於競爭廠商的12奈米製程,大幅降低功耗50%
Microchip能第五代PCIe固態硬碟控制器系列 可管理企業和資料中心工作負載 (2024.08.06)
人工智慧(AI)的蓬勃發展和雲端服務的快速普及正推動對更強大、更高效和更高可靠性的資料中心的需求。為滿足日益增長的市場需求,Microchip Technology推出Flashtec NVMe 5016固態硬碟 (SSD) 控制器
科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0,這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術,擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧(AI)的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求,Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力
Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧(AI)普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求,Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0,已經過生產驗證,擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位


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