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AI晶片電壓跌破1V！ 電源設計必須應對『低壓高流』時代 (2025.04.14)
隨著人工智慧（AI）技術的快速發展，生成式AI、深度學習和高效能運算（HPC）的需求激增，AI伺服器的電力需求也隨之大幅提升。特別是AI處理器（如GPU、TPU等）對供電的要求越來越嚴格，不僅需要超低電壓（0.6-1.5V），還必須提供大電流（數百至上千安培），同時確保高暫態響應和低紋波 |
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Vishay推出新型Bulk Metal Z箔電阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔電阻E102Z。該款電阻可在-55°C到+125°C的溫度範圍內提供達軍品級標準的絕對TCR值（±0.2 ppm/°C），容差為±0.005%（50 ppm），在+70ºC下工作2000小時的負載壽命穩定性達到±0.005%（50 ppm） |
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Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C的溫度範圍內具有±0.05 ppm/°C的工業級絕對TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 參考溫度）的範圍內具有±0.2ppm/°C的絕對TCR、在+25°C時具有8W的額定功率（按照 MIL-PRF-39009規範，在自由空氣中為1 |
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Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻 (2008.07.17)
為滿足在高可靠性應用中對超高精度電阻的需求，Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C參考溫度）的溫度範圍內分別具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm 的出色PCR（“R，由於自加熱”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的負載壽命穩定性 |
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Vishay推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網路 (2007.09.20)
Vishay宣佈推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網路，該器件在0°C～+60°C時具有±0.05ppm/°C的低絕對TCR，在額定功率時具有5ppm的出色PCR跟蹤∆（“R，由於自加熱”），並且具有0.01%的匹配容差以及0.005%的負載壽命比穩定性，並且通過Vishay的快速通道原型服務（Fastlane Prototype Service）可快速供貨 |
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PCB佈局對切換式電源轉換器輸出特性的影響 (2007.05.23)
對電子工程師而言，印刷電路板佈局常是令人頭痛的問題，因為電路板佈局會左右電路特性，佈局不良造成的異常狀況也是最不容易察覺與排除的，本文將歸納出幾個設計的方向，並對電路板佈局作些簡單的分析 |
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Vishay VSMP1206 Z 箔電阻 (2004.12.16)
Vishay Intertechnology宣佈推出VSMP1206 高精度、表面貼裝的Bulk Metal. Z 箔電阻，具有300mW高額定功率、0.01% 負載壽命穩定性，以及±0.5ppm/°C 低正常TCR 值且採用業界標準表面貼裝封裝的器件 |
