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凌力爾特相位調變全橋式控制器具備-40°C 至150°C 操作接面溫度範圍 (2013.04.12)
凌力爾特(Linear Technology Corporation )日前發表H-等級的 LTC3722-1,其為相位調變全橋式DC / DC控制器,具備自適性或手動零電壓切換(ZVS)。該元件的ZVS延遲控制和可調式同步整流計時可最佳化效率,同時降低變壓器的尺寸和電磁干擾,使其非常適合高達幾千瓦的隔離式高功率應用
NS推內建MOSFET閘極驅動器的全橋式PWM控制器 (2011.03.14)
美國國家半導體(NS)於日前宣佈,推出首創整合全部4個一次側橋接MOSFET閘極驅動器的全橋式PWM控制器。這兩款型號分別為LM5045及LM5046的控制器晶片可以提高1/4磚及1/8磚電源模組的效率和功率密度,其應用範圍極廣,包括適用於高輸入電壓的通訊網路基礎設備
FSI的ViPR製程為超高劑量離子植入關鍵技術 (2008.06.19)
FSI International宣佈,具備ViPR技術的FSI ZETA Spray Cleaning System噴霧式清洗系統已獲國際論文驗證,是超高劑量電漿輔助摻雜(PLAD)離子植入整合時的關鍵步驟。此一論文是於今年6月8至13日在美國加州蒙特利舉行的第十七屆國際離子佈植技術學術研討會期間,由Hynix、Varian、Nanometrics與FSI四大廠商所共同發表
Silicon Laboratories推出精巧省電交流電流感測器 (2007.08.02)
高效能類比與混合訊號IC廠商芯科實驗室有限公司Silicon Laboratories推出世界最小、耗電最少、精確度超高及適合各種電源應用的交流電流感測器。Si8500系列可為電源系統的控制與保護功能提供高達20A的電流測量能力,最適合AC/DC交換式電源供應、隔離式DC/DC電源供應、馬達控制和照明設施電子安定器等各種應用
以全溼式單晶圓清洗方式領導市場 (2006.10.31)
晶圓清洗在半導體製程的多項步驟,包括前段製程與後段製程(BEOL與FEOL)都會出現。對於製程來說,晶圓清洗的重要性取決於減少晶圓前、後兩面上粒子與污染物質,還能同時進行溼式表面準備動作的能力
電子及半導體設備產值增加 成長快速 (2006.09.07)
工研院公布機械業上半年產業調查報告,電子及半導體生產設備躍升為國內機械業產值第三大族群,也是成長最快的一支,為台灣實現光電、半導體設備國產化進程,又邁開一大步
IR推出HEXFET功率MOSFET晶體管 (2002.02.19)
全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司,推出全新的100V IRFB4710及IRFS4710型HEXFET功率MOSFET晶體管。新元件能增加48V輸入、半橋或全橋式電路拓樸技術(half-bridge or full-bridge topologies)的功率密度,一般適用於電訊及數據通訊設備的高性能DC-DC轉換器


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