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为绿氢制造确保高效率且稳定的直流电流 (2024.08.27) 本文探讨绿氢的原理,并且展示如何运用功率组件,将环保能源的输入转换为具有产生绿氢所需特性的稳定电力输出。 |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13) Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE,这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体(IGBT)。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出,支援量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低 |
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电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25) 电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件,对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用,本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。 |
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自走式电器上的电池放电保护 (2023.11.26) 使用MOSFET作为理想二极体,能够为新一代自动化电器提供稳健可靠的安全防护。 |
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增SiC和IGBT!ROHM官网可提供超过3,500种LTspice模型 (2023.10.27) 近年来,在电路设计中使用电路模拟的机会越来越多,可运用的工具种类也琳琅满目。其中LTspice为具有代表性的电路模拟工具之一,电路模拟工具已成功嵌入功率元件,大幅提高设计便利性,其用户包括学生到专业工程师等广大族群 |
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三菱电机获得变频站订单 强化互联互通稳定不同频率的电网 (2023.10.02) 三菱电机(Mitsubishi Electric)已获得J-Power Transmission Network公司的合同,为该项目提供300MW电压源换流器(VSC)高压直流(HVDC)输电设备静冈县浜松市的新佐久间变频站。该系统预计将於2028年3月底投入使用 |
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投身车电领域的入门课:IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19) 随着2021年全球政府激励政策和需求上升,正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心,IGBT和SiC模组极具市场潜力。 |
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TI透过SiC闸极驱动器让电动车行驶里程最大化 (2023.05.16) 德州仪器(TI)推出一款高效、符合功能安全要求的绝缘式闸极驱动器,使工程师能够设计出更有效率的牵引逆变器,将电动车(EV) 的行驶里程最大化。新式强化型绝缘式闸极驱动器 UCC5880-Q1 提供的整合功能使电动车动力系统工程师能够提高功率密度,降低系统设计复杂性和成本,同时实现其安全和性能目标 |
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安森美与大众汽车集团就电动车SiC技术达成策略协议 (2023.01.31) 安森美(onsemi)宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署策略协定,为大众汽车集团的下一代平台系列提供模组和半导体元件,以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统最隹化的一部分,形成能够支援大众车型前轴和後轴主驱逆变器的解决方案 |
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Microchip新型一体化混合动力驱动模组 提升电动航空应用设计效能 (2023.01.30) 电动飞机(MEA)设计制造商希??将飞行控制系统从液压转换为电动,以减轻重量和设计复杂性。为了满足航空应用对整合和可配置电源解决方案的需求,Microchip今(30)日推出一款全新的综合性混合动力驱动模组,可减少开发时间和重量,这是全新电源元件产品系列的首款型号 |
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恩智浦推出高效S32K39系列车用MCU 满足未来电气化需求 (2022.11.30) 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)宣布推出全新S32K39系列车用微控制器(MCU),该系列MCU针对电动车(EV)控制应用进行最隹化。新一代S32K39 MCU的高速、高解析度控制可提升能效,在延长行驶里程的同时,提供更顺畅的电动车驾驶体验,满足未来电气化需求 |
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ST推出64通道超音波发射器 缩小扫描器尺寸并提升影像画质 (2022.11.03) 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出具有新功能之64通道超音波发射器,使携带式高性能工业与医疗用仪器更加便利,影像画质更加清晰。
现在的携带型扫描器的尺寸到几??等同於一台智慧型手机,且其影像画质可媲美过去昂贵的大型影像扫描系统 |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05) Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分,透过与伊利诺理工学院的转包合约展开,包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT (2022.08.30) 瑞萨电子(Renesas Electronics)宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体(Si-IGBT),以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车(EV)逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产 |
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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25) 本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽(SiC)MOSFET,透过降低电阻和开关损耗来提高效率,同时增加功率和电流密度。 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19) 碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体(IGBT)不同,本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时,设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11) 随着电动车(EV)制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈,电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率,来提升续航里程并增加竞争优势 |
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功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26) 多年来,功率半导体以矽为基础,但碳化矽(SiC)、氮化??(GaN)等第三类半导体材料出现,让功率半导体元件的应用更为多元。 |
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以模型为基础的设计方式改善IC开发效率 (2022.04.25) 以模型为基础的设计开发,在Simulink建立模型并模拟混和讯号IC设计、受控体和微机电系统(MEMS),本文展示马达和感测器的范例。 |
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推动智慧制造达到更高弹性、生产力及永续性 (2021.11.30) 在工具机与工业机器人领域的应用,运动控制的演进随着自动化复杂度升高而加速,得以为智慧制造提供更高的生产力、弹性及自主性。 |