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波兰实验室研发钻石「微刻印」技术 有??终结血钻石 (2025.01.21)
虽然国际法明令禁止冲突钻石交易,但现行的认证制度仍存在漏洞,难以百分百保证钻石来源。如今,波兰一间实验室研发出突破性的「微刻印」技术,有??彻底杜绝血钻石,为珠宝产业带来革命性的改变
半镶嵌金属化:後段制程的转折点? (2025.01.03)
五年多前,比利时微电子研究中心(imec)提出了半镶嵌(semi-damascene)这个全新的模组方法,以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。
半导体生产技术加速演进 高纯度气体供应为成功基础 (2024.12.18)
在现代半导体制造过程中,氮气与氧气扮演着不可或缺的角色。这些气体不仅是半导体制造环境中重要的组成部分,更是确保制程稳定性与产品良率的关键。氮气因其化学性质稳定,被广泛用於提供无氧环境以避免氧化反应,并在制造过程中用於清洁与乾燥晶圆
GenAI时代需求高速资料处理效能 3D NAND技术将无可取代 (2024.12.16)
随着生成式人工智慧(Generative AI, GenAI)与边缘运算的快速发展,全球对高效能、高容量储存技术的需求急速攀升。虽然GPU与DRAM常被视为推动AI发展的核心,3D NAND技术凭藉其优异的储存密度、可靠性与能源效率,成为支撑AI应用的关键基石,默默扮演着「隐形推手」的角色
半导体产业面临快速扩张与人才短缺等挑战 协作机器人有助於改善现况 (2024.12.16)
随着半导体制程技术的不断进步,晶圆制造设备的维护与优化成为产业关键议题。现代晶圆厂内,数百种高度复杂的制程设备同时运行,制造奈米级半导体产品需要依赖物理、化学与机器人技术的高度协同
超高亮度Micro-LED突破绿光瓶颈 开启显示技术新纪元 (2024.12.15)
根据《nature》期刊,氮化??Micro-LED阵列亮度突破10?尼特,实现高达1080×780像素的高密度微型显示器。这一突破克服了晶圆级高质量磊晶生长、侧壁钝化、高效光子提取和精巧的键合技术等长期挑战,为AR/VR设备、可穿戴设备和下一代消费电子产品带来巨大优势
台达全新温度控制器 DTDM系列实现导体加工精准控温 (2024.11.27)
台达高精度模组化温度控制器DTDM系列,采高度整合的模组化硬体设计,包括量测主机、量测扩充机、数位输入/输出模组以及EtherCAT通讯模组。单一DTDM群组最多可支援32组PID控制、128个输入输出,并可自由指派输出接点,方便使用者依需求弹性扩充与使用
PCB抢进智慧减碳革新 (2024.10.29)
当前国内外电子品牌大厂积极推动产品碳中和浪潮下的绿色生产议题,却累积推进台湾PCB厂商等上游制程端节能减碳的压力,持续往高阶供应链转型发展。并依TPCA盘点产业耗电後,更需要及早投入低碳制造布局维持产业竞争优势
PCB智慧制造布局全球 (2024.10.28)
对於台湾PCB产业而言,节能减碳和China+1等永续策略布局,更是挥之不去的挑战,也影响未来产值能否回稳并成长的关键!
诌:绿色回收与半导体科技的新未来 (2024.10.24)
诌的环保回收值得关注,特别是从电子废弃物中回收诌,提高回收率并降低成本,减少资源浪费降低环境负荷。此外,诌近来在半导体先进制程中扮演要角,无疑也是一个值得重视和推进的方向
产学合作发表全台首套VR互动式微奈米科技训练平台 (2024.10.23)
半导体产业求才若渴,国立成功大学核心设施中心与正修科技大学电子工程系、数位科技业者酷奇思数位园三方合作,针对半导体制程,以游戏化方式打造出全台首套VR互动式微奈米科技训练平台,不必真实地进入无尘室,也能够在虚拟环境中掌握半导体制程操作,有效地节省时间与成本
机械聚落结盟打造护国群山 (2024.09.27)
受惠於当今人工智慧(AI)驱动全球半导体产业显着增长,从材料到技术的突破,更仰赖群策群力,半导体技术也需要整合更多不同资源,涵括先进与成熟、前後段制程设备,才能真正强化供应链韧性与创新实力
先进封测技术带动新一代半导体自动化设备 (2024.09.27)
因应近年来人工智慧热潮推波助澜下,科技巨头无不广设资料中心,备妥「算力军火库」。因此带动庞大AI先进制程晶片需求,却也造就台湾半导体代工产业链产能缺囗,分别投入矽光子等先进封装制程布新局
进入High-NA EUV微影时代 (2024.09.19)
比利时微电子研究中心(imec)运算技术及系统/运算系统微缩研究计画的资深??总裁(SVP)Steven Scheer探讨imec与艾司摩尔(ASML)合建的High-NA EUV微影实验室对半导体业的重要性
(内部测试档) (2024.08.26)
跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展 (2024.08.21)
奈米片技术在推动摩尔定律的进一步发展中扮演着关键角色。 尽管面临图案化与蚀刻、热处理、材料选择和短通道效应等挑战, 然而,透过先进的技术和创新,这些挑战正在逐步被克服
imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心(imec),在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔(ASML)合作建立的高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)微影实验室中,利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机,发表了曝光後的图形化元件结构
科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩 (2024.08.06)
Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0,这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术,扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧(AI)的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求,Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力
Lam Research以Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术加速实现3D NAND目标 (2024.08.06)
随着生成式人工智慧(AI)普及推升更大容量和更高效能记忆体的需求,Lam Research科林研发推出第三代低温介电层蚀刻技术Lam Cryo 3.0,已经过生产验证,扩大在3D NAND快闪记忆体蚀刻领域的地位
imec展示单片式CFET功能元件 成功垂直堆叠金属接点 (2024.06.21)
於本周举行的2024年IEEE国际超大型积体电路技术研讨会(VLSI Symposium)上,比利时微电子研究中心(imec)首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效电晶体(CFET)元件,该元件包含采用垂直堆叠技术形成的底层与顶层源极/汲极金属接点(contact)


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