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ADI发表超低抖动时脉产生和时脉分配系列元件 (2018.06.13)
亚德诺半导体(ADI)推出 LTC6952、LTC6953、LTC6955 和 LTC6955-1低抖动、高性能时脉产生和分配元件系列。
该系列支援高达 7.5GHz 的 JESD204B subclass 1 时脉应用，非常适合运用於高速资料转换器时脉，其采用可扩展架构，以提供数千个各具互补 SYSREF 讯号的同步低抖动时脉 |
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快速、150V 保护、高压侧驱动器 (2018.05.02)
LTC7000 是一款快速、受保护的高压侧 N 通道 MOSFET 栅极驱动器，该器件包含一个内部充电泵，因而允许外部 N 通道 MOSFET 无限期地保持导通。 LTC7000 接收一个低电压数位输入信号，并能以 35ns 的传播延迟完全接通或关断一个其漏极可高出地电位达 135V 的高压侧 N 通道 MOSFET |
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[中文新闻稿] 150V 快速高压侧受保护的 N 通道 MOSFET 驱动器具备 100% 工作周期能力-[中文新闻稿] 150V 快速高压侧受保护的 N 通道 MOSFET 驱动器具备 100% 工作周期能力 (2018.05.02)
[中文新闻稿] 150V 快速高压侧受保护的 N 通道 MOSFET 驱动器具备 100% 工作周期能力 |
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ADI 推出16μA IQ的150V双通道同步降压型DC/DC控制器 (2018.03.06)
亚德诺半导体(ADI)宣布推出Power by Linear的LTC7810，该元件为一款高电压非隔离式双输出同步降压型DC/DC控制器，驱动全N通道MOSFET。4.5V至140V(150V绝对最大值)输入电压范围专为采用高输入电压或具有高电压涌浪的输入操作而设计，因此省去外部涌浪抑制元件 |
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大电流转换器 (2018.01.08)
叁数
LTC7150S
LTC7130
备注
VIN 范围
3.1V 至 20V
4.5V 至 20V
LTC7150S 可直接从 12V 汇流排、5V 或 3.3V 电源轨获得功率
VOUT 范围
0.6V 至 VIN
0.6V 至 5V
FSW 范围
400kHz 至 3MHz
250kHz 至 770kHz
LTC7150S 需要的外部元件更小
tON
25ns
90ns
LTC7150S 具备更快的暂态响应 |
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适用於高功率密度系统的大电流转换器 (2017.12.29)
大电流、低压数位 IC 市场规模不断扩大，而FPGA 正实现着先进应用，例如先进驾驶辅助系统（ADAS）和防撞系统等消除人为差错的汽车应用。 |
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凌力尔特推出具快速60V保护的高压侧N通道MOSFET驱动器 (2017.07.14)
美国亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology Corporation) 日前推出高速、高压侧N通道MOSFET驱动器 LTC7003，该元件可采用高达60V的电源电压操作。其内部充电泵全面增强了外部N通道MOSFET开关，使其能无限期保持导通 |
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凌力尔特推出快速150V高压侧N通道MOSFET驱动器 (2017.07.07)
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology) 日前推出高速、高压侧 N通道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该元件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 通道 MOSFET 开关，使其能保持无限期导通 |
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凌力尔特推出新款大功率固定比例充电泵 DC/DC 控制器 (2017.06.26)
亚德诺半导体 (ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology) 日前推出大功率固定比例充电泵 DC/DC 控制器 LTC7820，该元件在非隔离式中间汇流排转换器中无需功率电感，因此可将电路尺寸缩减达 50%，并提供高达 4000W/in3 的功率密度 |
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凌力尔特推出2.7V至38V/500mA低杂讯升降压充电泵 (2017.06.13)
可节省空间并降低EMI
亚德诺半导体(Analog Devices, Inc.,ADI) 旗下的凌力尔特(Linear Technology Corporation) 日前推出精小、低杂讯升降压充电泵LTC3246，该元件内建看门狗计时器，能提供高达500mA 的输出电流 |
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150V同步降压DC/DC控制器不需外部涌浪保护元件 (2017.06.12)
150V同步降压DC/DC控制器不需外部涌浪保护元件
亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear Technology)日前推出高压非隔离式同步降压开关稳压器控制器LTC7801，该元件采用精小的24接脚封装，以用来驱动全N通道MOSFET功率级 |
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凌力尔特推出高速高压侧受保护的N通道MOSFET驱动器 (2017.06.08)
凌力尔特推出高速高压侧受保护的N通道MOSFET驱动器
亚德诺半导体 (ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology)日前推出高速、高压侧N通道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该元件可操作于高达 150V 的电源电压 |
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凌力尔特高压双组输出降压充电泵提供更低功耗且无需电感 (2016.08.12)
凌力尔特 (Linear) 日前推出高整合度、高压低杂讯双输出电源 LTC3256，该元件采用单一正输入电压，无需电感并可以高效率提供 5V 和 3.3V的降压电源。该元件可操作于宽广的5.5V至38V输入电压范围，包括可独立致能的双输出：5V 100mA 电源，以及250mA 3.3V 低压差(LDO) 稳压器，可提供总共为350mA的可用输出电流 |
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德州仪器利用100V高压侧FET驱动器来驱动高电压电池 (2016.02.04)
德州仪器（TI）推出针对高功率锂离子电池应用的单晶片100 V高压侧FET驱动器，其可提供先进的电源保护和控制。 bq76200 高电压解决方案能有效地驱动能量储存系统和马达驱动型应用中常用电池中的高压侧N通道充电和放电FET，包括无人机、电动工具、电动自行车等 |
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Diodes车用MOSFET为汽车电子控制单元提供电池反向保护 (2015.11.05)
Diodes公司推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在为车用电子控制单元提供电池反向保护。电子控制单元在愈来愈多车用控制应用内使用，有些汽车更安装了多达80个电子控制部件 |
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瑞萨电子开发28奈米嵌入式闪存技术 (2015.05.15)
瑞萨电子（Renesas）宣布已开发全新闪存技术，可达到更快的读取与覆写速度。 这项新的技术是针对采用28奈米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制程技术的芯片内建闪存微控制器（MCU）所设计 |
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德州仪器整合非挥发性FRAM内存和LCD控制器至更多应用 (2014.10.21)
德州仪器（TI）推出全新系列超低功耗MSP430 微控制器（MCU）中功耗最低的MSP430 MCU，其中具备芯片内建LCD控制器，以及一款新型低成本LaunchPad原型快速生成套件，可提供内存占用空间很小的非挥发性FRAM的全部优势 |
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超低压转换器推动热电源能量采集的发展 (2013.06.24)
背景
用于测量和控制用途的超低功率无线传感器节点正在大量增加，这种情况与新的能量采集技术相结合，已经使产生完全自主运行的系统成为可能，亦即，由周围环境中的能源，而不是电池供电的系统 |
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造成系統毀損及耗能的浪湧電流 (2013.04.30)
星期六的下午阳光透过房间的窗户，光线折射在雪花窗棂，温暖的金黄色的阳光舒服地洒在脸上，躺在柔软沙发上度过一个下午，许久没有如此自在，突然远处的手机响起，还在思考要不要接时，万万没想到来电显示的是国外技术服务经理，铁定是急事，接听下果然有大事不妙，我们的产品开机导致系统其它设备重新开机 |
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优化触控抗干扰性能 Synaptics让互动体验升级 (2013.03.18)
Synaptics(新思科技)的触摸板一向是各大品牌厂的首选，如今，随着高端智能手机不断突破更复杂的功能和更高性能的应用，以及面对大量网页浏览以及游戏体验，都必须具备极为准确且延迟和噪声干扰最低的触摸屏效能 |
