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開始時間﹕ |
六月二十七日(五) 09:00 |
結束時間﹕ |
六月二十七日(五) 15:50 |
主辦單位﹕ |
中央大學 |
活動地點﹕ |
中央大學創新育成中心1F會議室-中壢市中大路300號 |
聯 絡 人 ﹕ |
邱小姐 |
聯絡電話﹕ |
(03)490-8851 |
報名網頁﹕ |
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相關網址﹕ |
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全世界能源有限狀況下,研發節能產品與尋求替代能源是人類現階段與未來急需努力的方向;太陽能源與LED就是二十一世紀最夯之替代能源與節能產品,也是二十一世紀光電產業發展的主要動力;而研發太陽能矽晶與LED基板晶體生長技術更是提昇光電轉換效率與降低缺陷密度重要技術。由於晶體生長實驗成本高,透過電腦模擬來得到最佳化之晶體生長過程與生長參數是促使長晶技術快速進步途徑。 基此,中央大學創新育成中心將舉辦「藍寶石晶體暨矽晶體(錠)最佳生長參數模擬」研討會,邀請STR Group Ltd.技術總監Vladimir Kalaev先生演講如何運用電腦模擬柴氏法(CZ)生長單晶矽(Single-Si)晶體、直接固化法(DSS)生長多晶矽(Poly-Si)晶錠與藍寶石(Sapphire)晶體生長過程來得到最佳生長參數之案例。
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