课程介绍

台湾LED产业结构中在生产制造部份已相当的完整，但关键材料与生产设备仍多仰赖进口，LED结构通常以MOCVD设备进行量产，但缺乏设备厂商支持，使我国LED产业难以维持竞争优势。MOCVD磊晶需具备多方面知识备景，同时MOCVD参数多样将影响 Run机成果。近年全球LED产业变化剧烈，在亚洲国家大举投入下，陷入市场低价化与制造低毛利的严峻考验。国内厂商如何运用制程技术能力的领先与全球分工架构地位之优势，在LED照明市场萌芽初期即建立我国产业竞争优势，为我国LED产业持续发展关键。

本课程涵盖技术与实务应用，从了解全球与台湾LED制程与设备产业发展现况到LED制程与设备产业发展趋势与关键议题、以专利地图分析目前三大MOCVD设备厂家(Aixtron、VEECO、Nippon Sanso) 之反应室设计、气体引入设计、基板加热与转动设计、系统及基板传送设计、气体流量控制设计、检测设备等分类进行设备探讨。此外,现场实地介绍MOCVD设计，包括MOCVD磊晶制程周边支持设施，如真空设备、尾气处理设备、MO Source源介绍、毒气侦侧设备、反应腔体测漏技术、磊晶实时监控设备等绍MOCVD磊晶应该注意事项，并对MOCVD于磊晶可能面临相关问题作一探讨。

讲师介绍

1.LED磊晶及MOCVD设备技术与专利分析

王副组长/工研院机械所固态光源机械技术部经理兼组研发经理

2.LED量测与真空镀膜设备技术

杨副理/进光学检测技术发展部 副经理

3.LED原理制程与高效能高功率InGaN LED设计

林教授/国立交通大学光电系统研究所助理教授

傅博士/工研院电光所

4.MOCVD磊晶技术制程实作研习班

林博士/工业技术研究院机械所工程师

其他内容

101/07/06(五)单元一:LED磊晶及MOCVD设备技术与专利分析

101/07/20(五)单元二: LED量测与真空镀膜设备技术

101/08/03(五)单元三: LED原理制程与高效能高功率InGaN LED设计

101/08/17(五)单元四: MOCVD磊晶技术制程实作研习班※本课程为实作课程 限额12位!

课程地点

科技大楼-台北市和平东路2段106号4楼

国立交通大学(新竹市大学路1001号)