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CTIMES / Aveni
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
aveni S.A.電鍍化學技術 將銅互連擴展至5nm以下節點 (2018.01.04)
為2D互連和3D矽穿孔封?提供濕沉積技術與化學材料的開發商與生產商aveni S.A.宣佈,其已獲得成果顯示可有力支持在先進互連的後段製程中,在5nm及以下技術節點可繼續使用銅
aveni已完成對默克風投公司和現有投資者的B輪融資 (2017.10.27)
[法國巴黎訊]二維互連和3D TSV封裝市場破壞性濕式沉積技術和化學品開發及製造商aveni公司,今日宣佈已完成對默克風投公司(默克集團風投部門)和現有投資者的B輪融資,共籌集890萬歐元(合1050萬美元)
電接枝技術助益3D TSV製程 (2016.07.28)
金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵製程之一。在TSV的常規金屬沉積製程中,阻障和晶種步驟使用的是傳統的自上而下的沉積製程,用來實現高深寬比TSV的金屬化時,可能會給傳統製程帶來一些挑戰
Alchimer更名為aveni:進入技術商業化階段 (2015.07.17)
為鑲嵌、矽穿孔(TSV)、MEMS及其他電子應用提供金屬化技術的供應商Alchimer S.A.宣佈,公司已更名為 aveni。這一變化預示著面向未來,公司從證明其技術到充分準備批量生產的一項重大轉變

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