 |
on推出一系列SOT553和SOT563 (2003.07.07)
安森美半導體持續致力於研發高效能且節省空間的元件，近日又推出5款新的保護元件，將多個暫態電壓抑制(TVS)元件整合於1.6 x1.6 x0.6mm尺寸的SOT553或SOT563精巧封裝中。
除了符合嚴格的靜電釋放(ESD)保護要求，這些SOT5xx封裝的元件還比傳統的SC88封裝節省了電路板面積達36%，且降低了40%的高度 |
|
安森美發表五款微整合電路 (2003.04.14)
安森美半導體(ON)近日發表五款新的微整合MicroIntegration(tm)電路，為保護可攜式和電腦應用中高敏感度的零組件而設計，避免在傳輸高速數據過程中電力暫態受損和破壞。新元件針對的應用包括了數位相機及其他可攜式消費設備，視訊轉換盒及PC中的高速數據埠，包括數位視頻介面(DVI)、VGA、乙太網路、及通用串行匯流排埠等 |
|
安森美推出N通道功率MOSFET (2003.03.13)
安森美半導體（ON）持續擴展其專為開關及電源管理應用所使用的低電壓功率MOSFET產品線，近日又推出一系列新的N通道功率MOSFET。這些24/25伏的元件是特別為同步升壓轉換電路（ VRM 和 VRD）而設計，可使用於伺服器和桌上型電腦，或網路及通訊設備之負載點（ POL）轉換器 |
|
安森美推出P通道及N通道MOSFET產品線 (2003.03.03)
安森美半導體，近日宣佈推出了一項獨特的溝道處理科技，相較於市場上其他溝道處理產品，其平均可增進導通電阻效能達40%。安森美半導體在今年底前，計劃推出一個以此創新之溝道處理科技為基礎的完整P通道及N通道MOSFET產品線 |
|
安森美發表創新溝道科技 (2003.02.27)
安森美半導體(ON)近日推出嶄新的溝道處理科技，相較於市場上其他溝道處理產品，其平均可增進導通電阻效能達40%。安森美表示，該公司在今年底前計劃推出一個以此溝道處理科技為基礎的完整P通道及N通道MOSFET產品線 |
IEEE的創立，是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新，與提供會員實質上的協助。
