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CTIMES / 閘極驅動
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
东芝五款MOSFET闸极驱动器IC新品采用超小型封装 (2022.06.09)
东芝电子元件及储存装置株式会社（简称东芝）为其TCK42xG系列MOSFET闸极驱动器IC 产品系列增加适用於穿戴式装置等行动装置的五款新品。该系列的新产品配备过压锁定功能，并根据输入电压控制外部MOSFET的闸极电压
英飞凌推出EiceDRIVER X3 Enhanced系列 提高设计弹性并降低硬体复杂度 (2020.12.17)
英飞凌科技推出EiceDRIVER X3 Enhanced类比(1ED34xx)和数位(1ED38xx)闸极驱动IC，提供3、6和9A的典型输出电流，具有精密的短路侦测以及米勒钳制和软关断等功能。 1ED34xx还可透过加装外部电阻，提供可调整的去饱和滤波器时间和软关断电流
凌力尔特高端、高频 MOSFET 闸极驱动器具备 -55°C 至150°C 操作接面温度范围 (2013.10.02)
凌力尔特（Linear Technology Corporation）日前发表高端、高频N信道MOSFET闸极驱动器LTC4440A-5 ，可透过高达80V的输入电压操作，并可于达100V的瞬变过程连续操作。该驱动器可与功率MOSFET、凌力尔特的众多DC / DC控制器之一结合，以构成一完整的电源方案

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