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CTIMES / Drmos
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电子工业改革与创新者 - IEEE

IEEE的创立,是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新,与提供会员实质上的协助。
单晶片驱动器+ MOSFET(DrMOS)技术 改善电源系统设计 (2022.10.27)
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET(DrMOS)技术及其在稳压器模组(VRM)应用中的优势。单晶片DrMOS元件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能,进而增强最终应用的整体性能
威世科技VRPower整合DrMOS提供多相于高功率密度调节器POL (2014.12.25)
威世科技(Vishay)推出新型VRPower整合型DrMOS功率级解决方案,提供三种PowerPAK封装尺寸,以应对高功率高效率多相POL应用领域。威世Siliconix SiC789与SiC788采用MLP66-40L封装,为Intel 4.0 DrMOS 标准(6 mm x 6 mm)脚位,而SiC620及SiC620R则采用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封装,SiC521则是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封装
英飞凌推出 DrBlade:采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代 DrMOS (2013.04.09)
英飞凌科技股份有限公司今日在 2013 应用电力电子研讨会暨展览会 (APEC) 中宣布推出 DrBlade:全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的整合式 DC/DC 驱动器及 MOSFET VR 功率级(power stage)
英飞凌推出OptiMOS稳压MOSFET及DrMOS系列产品 (2010.03.08)
英飞凌科技近日于美国加州举办的「2010 应用电力电子研讨会暨展览会」上,宣布推出新款OptiMOS功率MOSFET系列产品。英飞凌所推出的OptiMOS 25V系列装置经过优化,适合应用于计算机服务器电源之稳压及电信/数据通讯之开关
Fairchild下一代DrMOS提供92%峰值效率 (2008.10.06)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出首款用于同步DC-DC降压稳压器的高性能及节省空间整合方案XS DrMOS产品-FDMF6704。针对计算、游戏控制器和用户负载点(POL)应用。 FDMF6704是采用紧凑封装的FET加驱动器(FET-Plus-Driver)模块,能够替代一个驱动器IC、一个上桥MOSFET、两个下桥MOSFET和一个bootstrap萧特基二极管

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