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三星发表12层3D-TSV封装技术 将量产24GB记忆体 (2019.10.07)
三星电子今日宣布，已开发出业界首个12层的3D-TSV（Through Silicon Via）技术。此技术透过精确的定位，把12个DRAM晶片以超过6万个以上的TSV孔，进行3D的垂直互连，且厚度只有头发的二十分之一 |
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Diodes推出提供 USB 3.1/3.2 及 Thunderbolt 3 介面保护的小型 TVS (2018.02.23)
Diodes 公司推出资料传输线瞬态电压抑制器 (TVS) DESD3V3Z1BCSF-7，此产品适用於搭载差分讯号线路、时脉 5 Ghz 以上的先进系统单晶片，可为 I/O 埠提供优异的 TVS/ESD 保护，是 USB 3.1/3.2、Thunderbolt 3、PCI Express 3.0/4.0、HDMI 2.0a 及 DisplayPort 1.4 等高速介面不可或缺的元件 |
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布鲁尔科技推出暂时性贴合/剥离（TB/DB）产品 (2017.05.02)
1.在以TSV、3D-IC与散出型晶圆级封装 (FOWLP) 制造 2.5D 中介层时，暂时性贴合 (TB) 与剥离扮演了什么样的角色？其重要性为何？暂时性贴合材料最关键的要求为何？
暂时性贴合/剥离 (TB/DB) 是薄晶圆处理技术中相当关键的一种两部分制程步骤，该技术已用于许多先进的封装应用中 |
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高生产／晶圆保护能力 应材力推电化学沉积系统 (2017.03.16)
为满足晶圆级封装（WLP）产业日益增多的行动及高效运算应用的需求，应用材料推出Nokota电化学沉积（Electrochemical Deposition,，ECD）系统。利用此一系统，晶片制造商及委外封测（OSAT）业者将可透过低成本、高效率的方式，使用不同的晶圆级封装技术，包括凸块／柱状、扇出、矽穿孔（ TSV）等 |
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提升VVC性能 Reno力推EVC匹配网路 (2016.09.12)
为了满足14nm（奈米）以下的先进制程制造需求，半导体制造用高性能射频匹配网路、射频电源产生器和流量管理系统开发商Reno Sub-Systems推出了EVC（电子式可变电容）匹配网路，新式系统改善了传统的VVC（真空可变电容）性能 |
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接枝技术助益3D TSV制程 (2016.07.28)
金属沉积是成功的TSV性能的关键制程之一。在TSV的常规金属沉积制程中，阻障和晶种步骤使用的是传统的自上而下的沉积制程，用来实现高深宽比TSV的金属化时，可能会给传统制程带来一些挑战 |
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湿蚀刻制程降低TSV成本 更易实现3D IC (2015.10.22)
TSV(矽穿孔)技术在3DIC中,可谓扮演相当吃重的角色,由于摩尔定律的关系,半导体制程的不断突破,晶片业者不断提升电晶体密度,同时又面临晶片尺寸极为有限的情况下,水平面积毕竟还是有其极限,所以半导体业者们才从垂直方向下手,以整合更多的电晶体,进一步提升晶片整体效能 |
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东芝16颗粒堆叠式NAND快闪记忆体搭载TSV技术 (2015.08.07)
东芝公司（Toshiba）宣布研发出运用矽穿孔（TSV）技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND快闪记忆体。东芝将于8月11~13日在美国圣克拉拉举行的2015年快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型 |
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集各家技术大成Fiji绘图处理器正式亮相 (2015.06.23)
先前AMD在今年的COMPUTEX的国际记者会所展示的两大产品线，一为第六代的A系列处理器，另一款重大产品则为搭载HBM技术的独立绘图处理器，只是在当时，自AMD执行长苏姿丰博士甚至是相关部门的高阶主管，皆未对该款绘图处理器透露太多的技术细节 |
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因应物联网挑战 KLA-Tencor锁定封装量测技术 (2015.05.12)
相信大家都知道，晶圆代工龙头台积电董事长张忠谋曾经对于物联网应用保持极为看好的态度，也声明了台积电不会在物联网市场缺席。 张忠谋的声明，似乎也影响到半导体设备业者们的解决方案布局，半导体设备业者KLA-Tencor在向台湾媒体发表解决方案前，同样提及了物联网与智能型手机对于整个市场拥有一定的向上带动效果在 |
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Ziptronix授权索尼DBI混合接合专利技术 (2015.04.02)
三维积体电路低温直接接合专利技术开发商和供应商Ziptronix公司宣布与索尼公司签署了用于先进图像感测器应用的专利授权合约。该协议标志着针对量产的Ziptronix混合接合专利将被持续的采用 |
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积层式3D IC面世 台湾半导体竞争力再提升 (2014.01.07)
在IEDM（国际电子组件会议）2013中，诸多半导体大厂都透过此一场合发表自家最新的研究进度，产业界都在关注各大厂的先进制程的最新进度。然而，值得注意的是，此次IEDM大会将我国国家实验研究院的研究成果选为公开宣传数据，据了解，获选机率仅有1/100，而该研究成果也引发国内外半导体大厂与媒体的注意 |
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从3D IC/TSV的不同名词看3D IC技术(上) (2010.04.19)
目前，3D-IC定义并不相同，有人认为只要将一颗 die 放在一个substrate 上就是 3D integration，这似乎与将Chip 放在PCB上面没有两样，这样的PCB也可以称之为3D integration，所以顶多称之为3D Package |
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合纵连横的3D IC国际研究趋势（上） (2009.11.03)
3D IC的研发工作是一件庞大的整合工作，加上其异质整合的特性，初期研发不是一间公司所能负担的起。目前，从亚洲到欧洲及美国都成立了一些研发联盟来推动3D IC的研发工作 |
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3D IC应用市场核心技术TSV的概况与未来 (2009.08.31)
3D IC是否可以成为应用主流，矽通孔（Through Silicon Vias；TSV）技术是一个关键。 TSV制程的成熟，将会主导3维晶片的应用市场，未来可以用来整合IC、逻辑晶片、RF、CMOS影像感应器与微机电系统 |
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专访:Aviza业务营销副总裁David Butler (2008.10.09)
为了缩短SoC单芯片技术过于拢长的研发时程，并符合目前消费性电子轻薄短小且多功能的产品需求，市场开始寻求新一代的芯片整合技术，来因应越来越严峻的消费性市场挑战，其中3D IC便是目前最受关注的技术之一 |
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驱动下一代IC：SiP的新兴技术-TSV (2008.08.12)
半导体芯片面臨尺寸越做越小，但效能却要更加提升的强大压力，在此同时，每一个package在体积缩小下，却要能容纳够多的功能在裡面。在消费性电子市场成长驱动下，诸如以硅为渠道的3D IC或者TSV等Packaging 技术之创新也更加快速且重要 |
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SEMICON Taiwan 2008即日起开放报名 (2008.07.25)
SEMICON Taiwan 2008(国际半导体设备材料展)即将于9月9-11日展开，展期间将举行8场产业趋势与技术论坛。其中，在9月10日的CTO论坛中，主办单位SEMI(国际半导体设备材料产业协会)特别邀请日月光集团研发中心总经理唐和明博士、无线科技大厂Qualcomm副总经理Mr |
