 |
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
|
Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
|
东芝推出最新低热阻及低逆向电流之肖特基二极体 (2018.07.16)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出新型肖特基障壁二极体产品CUHS10F60，主要用於电源电路整流和回流预防等应用。
CUHS10F60在其新开发的US2H封装中采用105。C/W低热阻，封装代码为SOD-323HE，该封装的热阻较传统USC封装降低约50%，散热效果更隹 |
|
英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
|
安森美推出碳化矽二极体 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半导体（ON Semiconductor）推出最新650 V碳化矽（SiC）肖特基二极体（Schottky diode）系列产品，扩展SiC二极体产品组合。这些二极体的先进碳化矽技术提供更高的开关效能、更低的功率损耗，并轻松实现元件并联 |
|
Littelfuse推出经扩展的碳化矽肖特基二极体产品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四个隶属於其第2代产品家族的1200V碳化矽（SiC）肖特基二极体系列产品，该产品家族最初於2017年5月发布。
LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封装 |
|
英飞凌第六代 650 V CoolSiC肖特基二极体可快速切换 (2017.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出650 V CoolSiC肖特基二极体G6。这项 CoolSiC二极体系列的最新发展以G5的独特特性为基础，提供可靠性、高品质及更高的效率。CoolSiC G6二极体让600 V与650 V CoolMOS 7系列的功能更臻完善，适用於伺服器、PC电源、电信设备电源及PV变频器等目前与未来的应用 |
|
Diodes推出新款可程式化调光LED驱动器 (2016.10.21)
Diodes公司推出AL3050电流模式升压型LED驱动器，为携带型设备的LED背光提供可程式化亮度功能。这款产品具有先进的调光特点、小尺寸、低BOM成本和高效率的优点，适合带有小型LCD面板的单锂电池设备，例如多功能/智慧手机、携带型媒体播放机、GPS接收器以及其他高移动性装置 |
 |
Littelfuse将于2016年PCIM Europe展示市场应用解决方案 (2016.05.10)
全球电路保护领域的企业 Littelfuse公司，将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域最新发展的世界盛会之一。本次展会上，Littelfuse将在7-140展台（7厅）展示两个全新的电源半导体系列：碳化矽（SiC）肖特基二极体和矽IGBT技术 |
|
Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管 (2008.12.17)
Vishay宣布推出超小的20V n信道功率MOSFET＋肖特基二极管。SiB800EDK采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK SC-75封装，其将在100 mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合 |
|
Vishay推出30V单片功率MOSFET和肖特基二极管 (2008.09.30)
Vishay宣布推出首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，其可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率 |
|
Vishay推出高性能45V肖特基二极管 (2008.07.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出最大结温高达+175°C的业界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提升汽车及其他高温应用中的功率密度 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
