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英飞凌CoolSiC萧特基二极体2000 V直流母线电压最高可达1500 VDC (2024.10.28)
许多工业应用如今可以透过提高直流母线电压以求功率损耗最低时，也朝向更高的功率水准。因应此需求，英飞凌科技（Infineon）推出CoolSiC萧特基二极体2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极体，适用於直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A 至80 A，符合光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用 |
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Microchip推出最新汽车用700和1200V碳化矽萧特基二极体 (2020.10.29)
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的马达、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化矽（SiC）等创新电源技术。Microchip今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化矽（SiC）萧特基二极体（SBD）功率元件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车品质标准的解决方案，同时支援丰富的电压、电流和封装选项 |
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新款200V耐压萧特基二极体有效降低功耗并实现小型化设计 (2019.08.27)
近年来，在48V轻度混合动力驱动系统中，将马达和周边零件集中在一个模组内的「机电一体化」已成为趋势，而能够在高温环境下工作的高耐压、高效率超低IR[1]萧特基二极体[2]（简称SBD）之需求也日益增加 |
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Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体，扩充其碳化矽电源半导体产品组合。
相比矽二极体，GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性 |
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Diodes可提升萧特基二极体的效能达20% (2017.07.13)
【美国德州普拉诺讯】Diodes公司推出的SDT萧特基二极体系列，使用先进的深沟制程，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极体相近甚至更低。初始的29个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极体功能，适合广泛的产品应用，例如AC-DC充电器/转接器、DC DC 上/下转换及AC LED照明 |
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高突波电流耐受量SiC萧特基二极体能大幅度改善运转时效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已经逐渐为上述应用装置所采用。尤其是伺服器等须提升电源效率的装置，电源上使用SiC-SBD产品，就能充分发挥该产品的高速回复特性，运用在PFC电路后，可望进一步提升装置的效率 |
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Diodes芯片尺寸封装萧特基二极管实现双倍功率密度 (2013.07.04)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯片尺寸封装的萧特基 (Schottky) 二极管，为智能型手机及平板计算机的设计提供除微型DFN0603组件以外的另一选择。新组件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度 |
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Linear发表具APD电流监视器之升压DC/DC转换器 (2009.02.23)
凌力尔特( Linear) 发表定频、电流模式升压DC/DC 转换器LT3571，其具备内建的高压端崩溃光二极管 (APD) 电流监视器。LT3571可从2.7V至 20V的输入范围提供达75V之输出电压，因此适合广泛的光纤应用 |
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ROHM全新研发出二极管用大功率封装 (2008.12.30)
半导体制造商ROHM专门针对行动音乐播放器、游戏机、数字相机等，对于小型化、薄型化等需求日益强烈的行动装置市场，全新研发出最小等级的二极管封装「KMD2」（1608(0603 inch)尺寸），而采用此封装的萧特基二极管，预定将自2008年12月起陆续开始提供样品（样品价格为100日圆/个），并预计自2009年4月起分别以月产1000万颗的规模投入量产 |
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Zetex推出新款低泄漏萧特基二极管 (2005.07.05)
模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex，近日推出ZLLS350萧特基势垒二极管。新组件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1µA及4µA，有助延长充电器和发光二极管(LED)驱动器等多元化应用系统的电池寿命 |
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Fuji Electronic新产品由增你强代理推广 (2005.05.16)
增你强近日推广其代理品牌Fuji Electronic新推出的(符合环保规章)省电型PWM IC与SMD SD包装的2A~4A萧特基二极管。Fuji(符合环保规章)省电型PWM IC，型号为FA5516/5517/5518，是针对需要大瓦数的电源供应器所设计，例如150W~200W的LCD TV |
