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CTIMES / Ddr Sdram
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
华亚12吋厂成功试产256Mb DDR SDRAM (2004.04.18)
据路透社报导,由南亚科技与英飞凌(Infineon)合资成立的内存业者华亚半导体(Inotera),日前宣布成功以12吋晶圆、0.11微米制程试产出256Mb DDR SDRAM。该公司预计今年底单月晶圆产出片数将达2万4000片,2005年底的产能更进一步扩大至5万4000片,成为全球最大的12吋晶圆厂之一
三星第三季营收成长37.2% (2002.10.21)
尽管景气不佳,韩国三星(Samsung)最近的财报仍传出好成绩。根据外电报导,三星电子近日对外宣布,今年第三季营收为约80亿美元,税前净利2兆1900亿韩元,税后净利1兆7300亿韩元;与去年同期相较,三星营收分别成长37.2%,高达96倍,但是与今年第二季相较,则分别衰退0.16%
三星电子明年将生产512Mb内存 (2001.10.30)
全球最大内存制造商南韩三星电子公司29日表示,2002年底起,将采用0.12微米技术,生产的512兆位(Mb)倍速同步随机存取内存(DDR SDRAM),并生产12吋晶圆。 三星电子在声明:「藉由提早量产512Mb芯片,拉大其他对手和三星电子的差距
茂硅128Mb DDR SDRAM及DDR模块通过认证 (2001.06.08)
茂硅电子宣布该公司的128Mb DDR SDRAM组件及DIMM模块获得SmartModular公司实行的认证测试计划,通过HP-83K测试器对其128Mb DDR266b(V58C2128804SAT-75)的认证。此外茂硅的PC2100A 128Mb非缓冲式(unbuffered) DDR SDRAM DIMM模块(V826516K04SATG-B1)与PC2100B 128mb非缓式DDR SDRAM DIMM模块(V826516K04SATG-B0)与AMD 760TM芯片组及VIA Apollo Pro266芯片组也都通过Smart Modular的认证
美光与微软签订六年合约 (2000.12.05)
美光(Micron)于4日表示,该公司已与微软(Microsoft)签订一项为期六年的合约,将提供微软即将推出的Xbox游戏机台内存芯片,但对于此项合作案的详细细节则未多做透露。 微软打算在明年秋天推出Xbox,而美光将会提供其大部份的DDR SDRAM
Samsung将提前量产DDR SDRAM (2000.11.15)
DDR SDRAM市场前景将出现重大变化,据了解,由于Intel Corp(英特尔)新一代的晶片组即将支援DDR SDRAM,加上Samsung Electronics(三星电子)、NEC(6701)与Infineon Technologies(IFX)等业者的DDR SDRAM已取得支援Advanced Micro Devices(AMD
ATI在WinHEC发表RADEON (2000.05.21)
ATI科技公司在微软公司一年一度的视窗硬体工程研讨会议(WINHEC)上发表了一颗史无前例,首度现身于桌上型电脑的强力图形处理器「RADEON」。 对高阶游戏与3D工作站的图形处理而言,RADEON在3D加速技术上是一大跃进

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