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M31与高塔半导体合作 开发65奈米SRAM和ROM记忆体 (2024.08.04)
M31 Technology宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）合作，成功开发65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并将设计模组交付客户端完成验证，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体）所设计的电路架构，能够满足SoC晶片严格的低功耗要求 |
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Microchip串列SRAM产品组合更大容量、速度更快 (2024.03.29)
因应SRAM需求趋於更大、更快，Microchip扩展旗下串列SRAM产品线，容量最高可达4 Mb，并将串列周边介面/串列四通道输入/输出介面（SPI/SQI）的速度提高到143 MHz。新产品线包括容量为2 Mb和4 Mb两款元件，旨在为传统的并列SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM记忆体中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留资料 |
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简化FPGA设计 Mosys推出QPR多分区高速SRAM (2021.05.24)
由旭捷电子代理的美商MoSys推出新一代的Quazar QPR(Quad Partition Rate；四分区速率)记忆体，主要针对FPGA系统进行优化，提供低成本、超高速的SRAM记忆体器件。MoSys致力於加速智慧数据应用，并提供半导体和IP解决方案，以加速云端、网路、安全性和通讯系统的效能升级，以及智慧数据处理应用的开发 |
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22FDX制程为AR技术带来重大变革 (2021.04.21)
格罗方德（GlobalFoundries）与Compound Photonics（CP）的策略联盟，即将推动功能更强大、体积更小、重量更轻且更节能的AR/MR眼镜。 |
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厚翼科技提供检测与修复结合的SRAM解决方案 (2018.06.04)
厚翼科技 (HOY Technologies)内嵌式测试（BIST ,Built-In Self-Test）的解决方案可以确保记忆体储存功能是正确无误的；而内嵌式修复 (BISR, Built-In Self-Repair) 的解决方案可帮助客户提升良率减少生产成本的浪费 |
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意法半导体推出新系列STM32微控制器 (2016.10.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出运算性能创记录的新STM32H7系列微控制器（MCU）。新系列内建SRAM（1MB)，其快闪记忆体高达2MB，还有种类丰富的通讯外部周边，来让更聪明的智慧装置无所不在之目标而铺路 |
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Microchip推新记忆体系列 可在断电时保障储存安全 (2016.10.20)
Microchip宣布推出拥有无限耐久性、断电时保障资料储存安全的全新低成本、低风险储存解决方案。新的I2C EERAM记忆体系列是简易使用的非挥发性SRAM记忆体产品，适用于需要连续或即时记录、更新或监测资料的各种应用，比如电表计量、汽车和工业等领域的应用 |
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来扬科技携手主力分团 进军次世代记忆体市场 (2016.05.16)
传统记忆体的制程技术已达物理极限，国际大厂无不全力布局，一场次世代记忆体大战已隐然成型。为抢占未来全球记忆体市场，来扬科技整合本身电路设计能力后，以开放宏观的精神，进军次世代记忆体市场 |
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PLD克服高常用系统的设计挑战 (2016.05.11)
高常用性系统如伺服器、通讯闸道和基站等需要持续作业。一旦安装后，即需透过软体升级来增强系统功能和修复错误。 PLD常用于支援系统内的设计更新。 |
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32位元策略有成 新唐MCU攻进日本市场 (2015.12.28)
尽管近期半导体产业的不断并购，但对于MCU（微控制器）市场而言，并没有太大的影响，身为国内的主要MCU供应业者，新唐科技的确也有相同的看法。新唐科技微控制器应用事业群副总经理林任烈表示，正因为MCU能够涵盖的应用相当广泛，所以大体上来说，对新唐不会有太多的影响 |
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瑞萨退出16Mb与32Mb进阶低功率SRAM (2015.10.30)
瑞萨电子（Renesas）推出两款全新系列的进阶低功率SRAM (Advanced LP SRAM)，为目前最主要的低功耗SRAM类型，其设计可提供更高的可靠性及更长的备份电池使用寿命，适用于工厂自动化(FA)、工业设备及智慧电网等应用 |
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Maxim小型低功率MAX3262x微控制器登陆Mouser (2015.10.20)
Mouser Electronics即日起开始供应Maxim的MAX32620/MAX32621 微控制器。 MAX3262x装置采用支援浮点单元(FPU)的32位元RISC ARM Cortex-M4F微控制器，适合新兴的医疗及健身应用市场。这两款装置均内含2MB快闪记忆体和256KB的SRAM，其架构整合了高效率的讯号处理功能，成本低且易于使用 |
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Atmel | SMART SAM S/E系列MCU目标面向物联网和工业市场 (2015.07.20)
Atmel公司宣布，公司已开始批量生产基于ARM Cortex-M的微控制器（MCU）产品—Atmel | SMART SAM S70和E70系列。
这些MCU拥有更大的可配置SRAM、更大的嵌入式快闪记忆体和丰富的高频宽外设，并提供最佳的连接、记忆体和性能组合 |
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意法半导体新系列STM32微控制器突破超低功耗应用性能极限 (2015.05.22)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）整合其超低功耗微控制器技术与在ARM Cortex-M4内核领域累积的多年厚实经验，成功开发这款适合用于下一代节能型消费性电子产品、工业、医学及量测设备的STM32L4系列微控制器 |
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瑞萨电子推全新先进低功率SRAM产品 有助提升制造商系统可靠性 (2013.10.14)
瑞萨电子宣布将推出12款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先进低功率SRAM (Advanced Lower-Power(LP) SRAM)新产品，为瑞萨的旗舰SRAM (静态随机存取内存)。新款内存装置具有4 Mb密度，并采用电路线宽仅110 nm(奈米)的精密制程技术 |
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MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!（下） (2013.07.08)
MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构，在这当中最为关键的三层，上下两层为磁性层（一为参考层，一为自由层），中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列，并可由电流来控制旋转方向 |
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MRAM技术再突破 工研院启动全新内存战局!!（上） (2013.07.02)
在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际，工研院电光所的研究团队所开发出来的「垂直式自旋磁性内存技术」荣获杰出研究金牌奖，此一技术乍看之下并不显眼，但该内存技术的背后，却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局 |
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Cypress SRAM获Altera采用于FPGA开发工具包 (2011.11.14)
Cypress日前宣布Altera公司28奈米Stratix V GX FPGA开发工具包，选用Cypress Quad Data Rate II（QDRII）以及QDRII+ SRAM。Cypress表示，其SRAM让Stratix V FPGA开发工具包能实现100 Gbps的线路速率 |
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Cypress推出32位总线低功耗异步SRAM (2011.08.09)
Cypress于日前宣布，推出128-Mbit、64-Mbit 、以及32-Mbit的MoBL (More Battery Life) 超长电池续航力 SRAM，并拥有32位总线宽度。新款组件为Cypress的SRAM产品之一，此系列产品包括高效能同步、异步以及微功耗组件 |
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新款QDRII+SRAM 让Cypress 65奈米SRAM系列齐备 (2011.01.05)
Cypress近日发表Quad Data Rate（QDR）与Double Data Rate（DDR）SRAM，这些65奈米SRAM系列产品的最新成员提供36-Mbit与18-Mbit密度版本。新款内存让65奈米SRAM系列产品的成员更臻齐备，密度涵盖至144Mbit，速度更高达550MHz |
USB的沿革历史充满曲折，其中各大厂商从本位主义的相互对抗，到尝尽深刻教训后的Wintel合作，能否给予后进有意「彼可取而代之」者一些深思与反省？
