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华邦电子TrustME安全快闪记忆体结合ARM平台安全架构 (2017.10.24)
华邦电子推出与ARM平台安全架构密切结合的安全快闪记忆体，大幅扩展华邦TrustME安全快闪记忆体的产品组合延伸。
拥有共同准则 (Common Criteria) EAL5+认证的安全非挥发性记忆体，TrustME W75F支援ARM PSA，为SoC和MCU的设计业者提供高度安全可靠的解决方案於物联网（IoT）、手机、人工智慧和其他高安全需求的应用领域 |
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捷鼎国际推出新款全NVMe快闪记忆体储存阵列 (2017.08.02)
软体定义全快闪记忆体储存阵列供应商捷鼎国际 (AccelStor) 推出全新的高可用性全 NVMe快闪记忆体储存阵列NeoSapphire H810，搭配捷鼎国际独家FlexiRemap快闪记忆体导向的软体技术，此款机型提供高效能、耐用性和容量，加速人工智慧时代的演进 |
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Western Digital发表可应用於3D NAND的X4技术 (2017.07.31)
全球储存技术和解决方案供应商Western Digital公司发表开发出适用於64层3D NAND (BiCS3) 的X4 (每单元4位元) 快闪记忆体架构技术。凭藉之前开拓创新的X4 2D NAND 技术、成功商品化的经验及深厚扎实的垂直整合能力，Western Digital再次成功研发推进适用於3D NAND的X4架构技术 |
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群联电子竹南三期厂办正式启用 (2017.06.19)
快闪记忆体(NAND Flash)控制晶片解决方案厂商群联电子於竹南基地举行三期厂办启用典礼，由潘健成创办人暨董事长亲自主持，并与欧阳志光总经理、杨俊勇监察人、许智仁技术??总、伍汉维经理等4位共同创办人，以及鲲宗宏??总率先开幕剪彩恭迎众贵宾 |
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慧荣发布首款SD 5.1控制晶片解决方案 (2016.11.22)
慧荣科技（Silicon Motion Technology）宣布该公司的旗舰级产品SM2703 SD控制晶片现能支援高达2000/800 IOPS的最快随机读/写效能，符合最新SD 5.1规范中的A1（Application Performance Class 1）标准 |
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瑞萨电子开发90奈米单电晶体MONOS快闪记忆体技术 (2016.02.26)
瑞萨电子（Renesas）宣布开发90奈米（nm）单电晶体MONOS (1T-MONOS)快闪记忆体技术，可结合各种制程如CMOS与双极CMOS DMOS（BiCDMOS），并提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重写耗电量 |
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Atmel全新8位tinyAVR拥有1kB快闪记忆体 (2016.02.24)
Atmel公司在2016年德国嵌入式系统展（Embedded World 2016）上宣布，推出带有1kB快闪记忆体的低功耗8位MCU。全新ATtiny102/104 MCU的运行速度最高可达12 MIPS（每秒百万条指令），并整合了此前仅在大型MCU上拥有的特性，使它们成为小型应用的理想之选，这些应用包括逻辑置换以及消费、工业和家庭自动化市场的最新成本优化应用 |
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捷鼎国际发表旗舰级NeoSapphire 3413全快闪记忆体储存阵列 (2016.02.19)
软体定义全快闪记忆体储存阵列供应商捷鼎国际（AccelStor）发表全新NeoSapphire 3413 旗舰级全快闪记忆体储存阵列，其效能可持续维持在600K IOPS范围（4KB 随机写入）。可用容量高达13TB的 NeoSapphire 3413 储存设备透过标准的2U机架、 iSCSI 10GbE网路介面提供强力的储存效能 |
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Lexar发表新一代Professional 1800x microSD UHS-II 记忆卡 (2016.01.13)
全球快闪记忆体品牌Lexar（雷克沙）发表新一代Lexar Professional 1800x microSDHC 和microSDXC UHS-II记忆卡，其读取传输速度每秒高达270MB。新一代microSD记忆体专为运动摄录影机、航空摄影机、平板电脑和智慧型手机所设计，利用Ultra High Speed II（U3技术），能更快速地撷取、播放和传输高品质的影音和相片 |
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Xilinx推出LDPC错误校正IP基础 (2015.08.13)
美商赛灵思（Xilinx）推出低密度奇偶校验（Low-Density Parity-Check；LDPC）错误校正IP基础，为云端与资料中心储存市场实现各种新一代快闪型应用。由于各种3D NAND技术让NAND快闪记忆体不断精进，LDPC错误校正已然成为一项关键的核心功能以因应现今储存解决方案对可靠度和耐用度的严格要求 |
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东芝16颗粒堆叠式NAND快闪记忆体搭载TSV技术 (2015.08.07)
东芝公司（Toshiba）宣布研发出运用矽穿孔（TSV）技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND快闪记忆体。东芝将于8月11~13日在美国圣克拉拉举行的2015年快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型 |
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东芝为微控制器和无线通讯积体电路开发新制程技术 (2015.07.09)
（日本东京讯）东芝公司（Toshiba）宣布，该公司已根据使用小于当前主流技术功率的65奈米逻辑制程开发了快闪记忆体嵌入式制程，以及采用130奈米逻辑及类比电源制程开发了单层多晶矽非挥发性记忆体（NVM）制程 |
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宜鼎国际工控模块全新升级，推出高IOPS全系列产品 (2015.05.19)
工控储存厂商宜鼎国际（Innodisk）新一代3ME3模块产品系列升级自3ME系列，采用先进控制器，及针对工业计算机应用所设计的韧体，搭配A19奈米制程的原厂高质量同步闪存，可让微型模块效能大幅提升 |
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SST和GLOBALFOUNDRIES宣布汽车级55nm嵌入式闪存技术获认证 (2015.05.15)
‧SST的 SuperFlash技术与GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx结合，实现低功耗、低成本、高可靠度、数据保存性能和高耐用度兼备的客户解决方案
‧因应智能卡、NFC、IoT、MCU和汽车1级标准应用方面的客户需求不断增长 |
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瑞萨电子开发28奈米嵌入式闪存技术 (2015.05.15)
瑞萨电子（Renesas）宣布已开发全新闪存技术，可达到更快的读取与覆写速度。 这项新的技术是针对采用28奈米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制程技术的芯片内建闪存微控制器（MCU）所设计 |
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MTBF提升25% + HGST SAS SSD =整体优越效能 (2015.05.14)
随着不断增长的数据量，可否能有效且可靠地储存与读取数据成为了企业的竞争关键。 数据数据中的信息能协助做出更快速且明智决策，提供各行各业宝贵的洞见... |
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TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固态硬盘SDS1B系列 (2015.05.11)
（日本东京讯）TDK株式会社将于2015年8月开始发售搭载有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型闪存控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工业用固态硬盘SDS1B系列产品。
近年来，以OS的高容量化及4K、8K全高画质数字播放为代表的高画质大容量数据的储存等都逐渐要求储存器实现高速、大容量的用途 |
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2015数据资料将如何发展? (2015.02.24)
数据资料是新型经济的货币，数量不曾如此之多，亦不曾如此重要。
应用程式、装置与资料类型等不断地增加，再加上物联网(IoT)的应用，现在人们创造与复制的资料量每两年增加一倍 |
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意法半导体新款STM32F3微控制器高达512KB闪存容量 (2015.02.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的STM32F3系列微控制器再添新成员，满足市场对高性能、创新功能及价格实惠要求。新微控制器的内存容量增至512KB闪存（Flash）以及80KB静态随机存取内存（SRAM），并整合丰富的接口设备接口，其中包括高速控制器及芯片外（off-chip）内存接口 |
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意法半导体推出多款超值型系列微控制器款新品 (2015.02.05)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）全面升级STM32F0 超值型系列ARM Cortex-M0微控制器的功能。为了扩大对成本导向的消费性电子、智能能源、通讯网关和物联网等应用的支持，新产品增加了USB接口，并搭载更高的闪存容量 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
