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LG多媒体手机将内建SANDISK 8GB闪存 (2009.02.27)
闪存厂商SanDisk公司宣布，LG最新推出的LG Arena（LG-KM900）全功能多媒体手机将内建SanDisk的iNAND 8GB闪存。iNAND储存装置可为一种用于手机的启动及储存装置，从此不需安装独立启动装置 |
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景气未见起色，美光再裁500人并缩减2000个职缺 (2009.02.25)
面对持续恶化的经济环境持，美光科技（Micron Technology）于周一（2/23）宣布，将逐步停止其Boise工厂的200mm晶圆制造业务。因应这项措施，美光将在爱达荷州工厂裁员约500人，同时在本会计年度结束之前，还会裁减2000个职缺 |
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奇梦达美国子公司申请破产保护 (2009.02.24)
外电消息报导，奇梦达周一（2/23）表示，将为其在美国的子公司申请破产保护。
据报导，奇梦达是在本周一时发表美国子公司的破产保护声明。奇梦达表示，奇梦达的美国子公司奇梦达北美公司及奇梦达Richmond L.L.C，已于2009年2月20日提交了破产保护申请 |
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Numonyx发表首款45奈米NOR闪存技术 (2009.02.23)
恒忆(Numonyx)日前发表了业界首款采用45奈米制程的MLC NOR闪存样本。该技术不但为客户提供高度的产品升级弹性和可靠度外，更大幅提高恒忆内存产品效能。
这款45奈米，容量达1 GB的单石(monolithic)组件，是基于Numonyx StrataFlash 内存架构，与恒忆目前量产的65奈米 NOR闪存芯片接脚兼容 |
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ONFI 2.1标准问世 NAND传输提升至200MB/s (2009.02.11)
开放式NAND闪存接口（ONFI）工作小组今日（2/11）发布了ONFI 2.1版技术规范。ONFI 2.1版本除具备更简化的闪存控制器设计，并将传输性能提升至每秒166MB/s到200MB/s间。目前ONFI工作组已着手制订ONFI 3.0版，预计速度将可达400MB/s |
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NOR内存大厂Spansion日本公司声请破产保护 (2009.02.10)
由AMD与富士通所合组内存公司飞索半导体（Spansion）今日（2/10）宣布，其日本分公司已声请破产保护，目前正在进行企业重整。而在这段期间，其相关的产品与服务仍将维持运作 |
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Epson多媒体播放器采用Actel可编程闪存 (2008.12.25)
Actel公司宣布精工爱普生公司（Seiko Epson）在其新推出的Epson 多媒体播放器 P-7000和P-6000産品中采用Actel的低耗电快闪型装置ProASIC3 FPGA。获采用的A3P125 ProASIC3装置，拥有125,000系统闸，最适用于CompactFlash记忆卡及接口电路的高速存取 |
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站稳SerDes IP 创意电子看好09年高速连接市场 (2008.12.23)
2009年IC设计有哪些发展重点？台湾IC设计服务领导商创意电子说：开发平台、高速连接、奈米设计、低功耗以及SiP技术。其中先进的高速链接技术跨入难度极高，一般厂商短时间内难有成果，但却是创意电子最具竞争力的市场之一 |
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华邦电子选中惠瑞捷测试闪存晶圆 (2008.12.17)
惠瑞捷(Verigy) 宣布，闪存供货商华邦电子 (Winbond) 已采购多套Verigy V5400闪存测试系统，供台中厂使用，以测试SpiFlash序列式闪存的晶圆。这些内存采用序列外围接口 (SPI)，广泛使用于PC、移动电话和其它行动装置中 |
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Netbook也不爱 09年SSD难有进展 (2008.12.17)
外电消息报导，市场研究公司DRAMeXchange日前公布一份报告指出，Netbook销售将在2009年拉出长红，但SSD的需求量却无法相对提升，甚至还会出现出现下滑，从原来的70%占有率减至20%左右 |
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海力士可能考虑融资贷款来因应亏损 (2008.12.03)
外电消息报导，由于内存芯片价格持续滑落，加上全球景气衰退的因素，全球第二大内存芯片供货商海力士，正在考虑采取融资筹款的方式，来因应未见好转的亏损状况。
据报导，海力士受库存过剩导致内存芯片价格不振的拖累，目前已蒙受7年来最大亏损 |
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新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型内存解决方案 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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双D市况不佳 三星第3季获利减少44％ (2008.10.27)
根据国外媒体报导，南韩三星电子上周公布第3季财务报告。由于全球经济衰退和其半导体DRAM和显示屏幕（Display）双D产品价格下滑，Samsung获利减少了44％。
Samsung表示，在截止到9月30日的第3季财报显示，获利表现从去年同期的2 |
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PQI将参加2008杜拜GITEX展 (2008.10.15)
劲永国际（PQI）将于2008年10月19日至10月23日参加杜拜GITEX展，PQI摊位位置为Hall3 D3-42，除了展出旅行碟、记忆卡、内存模块等系列产品，并特别以水底世界展示PQI防水旅行碟系列产品，还有休闲旅游不可缺少的记忆卡系列产品，同时也将展出PQI最新火凤凰系列内存模块，此外并规划全系列产品包装区让参观者可以一览PQI产品全貌 |
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Atmel首款1.8V的8Mb Serial Flash具极低功耗 (2008.09.26)
Atmel（爱特梅尔）宣布业界首款能够在1.8V电压下运作的8Mb Serial Flash组件AT25DF081，经已准备投产。全新的AT25DF081具有1.65V到1.95V的低工作电压范围，与许多现有和即将上市的采用90nm制程的ASIC和处理器/控制器相同的工作电压，允许系统设计人员最终创建出使用单一电源电压为系统中所有组件供电的应用，并可显著降低成本 |
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Spansion推出高性能NAND闪存生产计划 (2008.09.15)
纯闪存解决方案供货商Spansion公布了即将推出的MirrorBit ORNAND2产品系列生产计划，该系列产品的写入速度可提高25%，读取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮动闸门NAND闪存明显减小 |
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三星电子可能收购闪存供货商SanDisk (2008.09.08)
外电消息报导，有消息指称，三星电子（Samsung）正在计划收购全球最大的闪存供货商SanDisk。但三星电子表示，收购仅是与SanDisk结盟的选项之一，目前仍未正式定案。
据报导，三星电子为了收购Sandisk，已经与摩根大通展开合作，聘请其作为此次收购交易的顾问 |
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华东承启科技将展出全系列工业等级内存模块 (2008.09.08)
华东承启科技（Walton Chaintech Corporation）将于9/9至9/11台北世贸二馆国际集成电路展2D17展出全系列工业等级Flash及DRAM内存模块产品包含工业规格SSD、CF/SD Card、EDM、Un-buffered DIMM等热门工业储存项目，为超频内存模块品牌APOGEE的产品线再增添生力军 |
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記憶體發展走在十字路口，有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣？ (2008.09.08)
記憶體發展走在十字路口，有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣？ |
