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意法半導體推出新系列射頻功率電晶體 (2011.10.06)
意法半導體（STMicroelectronics）今（5）日發表，推出新系列射頻（RF）功率電晶體。新系列產品採用先進技術，為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統（private mobile radio，PMR）以及L波段衛星上連（L-band satellite uplink）設備等要求苛刻的重要應用領域提高無線通訊系統的性能、穩健性及可靠性 |
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Freescale推出新款射頻LDMOS功率電晶體 (2010.05.27)
飛思卡爾（Freescale）日前推出一款射頻（RF）LDMOS功率電晶體，操作範圍為1.8至600 MHz，同時針對會產生潛在破壞性阻抗失配（impedance mismatch）狀況的應用(如二氧化碳雷射、電漿產生器和核磁共振造影（MRI）掃描器)，已進行最佳化，使其可用於這些應用 |
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NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 (2008.11.24)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其RF Power 電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率 |
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美國快捷半導體宣佈與Silicon Wireless進行技術結盟 (2001.03.01)
Fairchild Semiconductor宣佈與北卡羅來納州的Silicon Wireless合作，注資成立新技術結盟關係。新合作計劃有助美國快捷與Silicon Wireless共同開發製造和營銷RF功率半導體，象徵美國快捷半導體公司拓展另一新商機 |
