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研究：2024年前三季全球晶圆制造设备市场成长3% 记忆体需求成核心驱动力 (2024.11.26)
根据Counterpoint Research最新数据显示，2024年前三季全球前五大晶圆制造设备（WFE）厂商的总营收年增3%，其中记忆体市场需求的强劲拉动成为关键推手，特别是高频宽记忆体（HBM）和DRAM的需求大幅提升 |
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美光高速率节能60TB SSD已通过客户认证 (2024.11.14)
美光科技宣布其6550 ION NVMe SSD已通过客户验证。美光 6550 ION SSD 是全球最高速率的 60TB 资料中心 SSD，亦为业界首款 E3.S 及 PCIe Gen5 60TB SSD，这项产品延续 6500 ION SSD 获奖的成功经验，提供同级最隹运算、节能、耐久、安全以及机柜容量表现，适用於超大规模资料中心 |
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宜鼎E1.S固态硬碟因应边缘伺服器应用 补足边缘AI市场断层 (2024.11.13)
随着AI与5G技术发展大幅提升资料吞吐量、处理需求愈加碎片化，追求高储存密度、高效能的边缘运算呈现增长态势。宜鼎国际 （Innodisk）推出E1.S边缘伺服器固态硬碟 (SSD)，在散热与出色效能之间取得最隹化平衡，衔接目前传统工控SSD与资料中心SSD间的市场断层缺囗 |
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慧荣获ISO 26262 ASIL B Ready与ASPICE CL2认证 提供车用级安全储存方案 (2024.11.08)
慧荣科技获 ISO 26262 ASIL B Ready 与 ASPICE CL2 认证，彰显其储存解决方案在汽车安全与软体开发流程中的高标准与可靠性。随着电动车与自驾车的逐渐普及，对安全、高效能资料储存方案的需求比以往更为重要 |
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默克於韩国安城揭幕旋涂式介电材料应用中心 深化下一代晶片技术支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韩国安城揭幕最先进的旋涂式介电材料（Spin-on-Dielectric, SOD）应用实验室。为因应半导体产业中人工智慧蓬勃发展的趋势，该应用中心将加速开发用於先进记忆体和逻辑晶片的SOD材料 |
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2GB、50美元！第五代树莓派降规降价 (2024.08.30)
自2012年树莓派（Raspberry Pi, RPi）单板电脑推出以来，就一直有个默契性的官宣价格天花板，但这个天花板在2019年第四代树莓派（RPi 4）推出後被打破，开始有45美元、55美元官宣价的型款 |
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HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。
尽管HBM在性能上具有显着优势，但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。
TSV技术是HBM实现高密度互连的关键，但也带来了测试的复杂性 |
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AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
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慧荣科技於FMS 2024推出高效PCIe Gen5 SSD控制晶片 (2024.08.07)
慧荣科技针对AI PC和游戏主机设计推出一款PCIe Gen5 NVMe 2.0消费级SSD控制晶片SM2508。SM2508是全球首款采用台积电6奈米EUV制程的PCIe Gen5消费级SSD控制晶片，相较於竞争厂商的12奈米制程，大幅降低功耗50% |
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Microchip能第五代PCIe固态硬碟控制器系列 可管理企业和资料中心工作负载 (2024.08.06)
人工智慧（AI）的蓬勃发展和云端服务的快速普及正推动对更强大、更高效和更高可靠性的资料中心的需求。为满足日益增长的市场需求，Microchip Technology推出Flashtec NVMe 5016固态硬碟 （SSD） 控制器 |
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科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩 (2024.08.06)
Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术加速实现3D NAND目标 (2024.08.06)
随着生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Research科林研发推出第三代低温介电层蚀刻技术Lam Cryo 3.0，已经过生产验证，扩大在3D NAND快闪记忆体蚀刻领域的地位 |
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群联电子於FMS展示All-in-One aiDAPTIV+方案与PASCARI企业级SSD (2024.08.06)
随着AI技术和伺服器市场的整合，在2024年8/6~8/8期间举办的FMS（the Future of Memory and Storage）展览，着重於新一代储存解决方案如何支持AI应用和伺服器性能的提升。群联电子 (Phison) 专注於NAND控制晶片暨NAND储存解决方案，这次在FMS展览展示先进技术，包含最高可达61 |
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AI手机需求增温 慧荣科技第二季营收超过预期 (2024.08.04)
慧荣科技日前公布2024年第二季财报，营收2亿1,067万美元，与前一季相比成长11%，与前一年同期相比大幅成长50%。SSD控制晶片营收较上一季成长0%~5%，较去年同期成长25%~30% |
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美光宣布量产第九代NAND快闪记忆体技术 (2024.07.31)
美光科技宣布，采用第九代(G9) TLC NAND技术的SSD现已开始出货。美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s，不论是在个人装置、边缘伺服器，或是企业及云端资料中心，这颗NAND新品均可展现效能，满足人工智慧及其他运用大量资料的使用情境 |
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为AI应用奠基 美光推出全球最高速资料中心SSD (2024.07.25)
美光科技今日宣布，推出Micron 9550 NVMe SSD，为全球最高速率资料中心SSD，在AI工作负载效能及节能效率上亦领先业界 。美光9550 SSD整合了美光自有的控制器、NAND、DRAM与韧体 |
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从应用端看各类记忆体的机会与挑战 (2024.07.02)
各类记忆体在不同领域也就各具优势和挑战。随着技术的进步和应用需求的多样化，记忆体技术将向更高性能、更低功耗和更大容量的方向发展，也会有各类同质或异质性记忆体整合的平台，来提供更加完善的解决方案 |
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记忆体应用发展的关键指标 (2024.07.01)
记忆体发展轨迹是随着越来越庞大的运算与感测功能而亦步亦趋，其应用发展的关键指标就会以容量、速度为重点来观察。当容量与速度越来越大、越来越快，可靠度也是未来发展的关键指标 |
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新唐科技全新M2L31 微控制器满足高效能嵌入式计算需求 (2024.06.25)
高效能及低功耗成为产品设计的重要关键之一，新唐科技推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。为满足对高效能嵌入式计算需求日益增长的需求。新唐 NuMicro M2L31 微控制器，采用 Arm Cortex-M23 核心，并配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM（电阻式记忆体）和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款为可持续性和优异能效设计的低功耗产品 |
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工研院探讨生成式AI驱动半导体产业 矽光子与先进封装成关键 (2024.06.21)
在工研院连续举办两天的「生成式AI驱动科技产业创新与机遇系列研讨会」第二天（20日）场次，同样由产学专家深度剖析生成式AI带来的半导体产业机会，共涵盖IC设计、制造到封装各阶段，协助业者掌握晶片设计、制造与封装的最新进展，并指出矽光子与先进封装将是未来应用发展关键 |
