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飞思卡尔扩充WiMAX基地台射频功率晶体管功能 (2006.01.23)
飞思卡尔半导体发表第七代高电压(HV7)射频LDMOS技术，此项技术可以满足WiMAX基地台在3.5 GHz频带中运作时所需的射频功率放大器效能。 飞思卡尔表示，即使飞思卡尔已经具备12V砷化镓拟态高速移动电子晶体管(PHEMT)的产品线
飞思卡尔扩充泛用放大器的产品线 (2005.06.10)
飞思卡尔半导体扩充其砷化镓(GaAs)制程泛用放大器(GPAs)的产品线，范围涵盖11种新组件。泛用放大器可直接以5伏特直流电压运作，其运作范围从直流电等级到6 GHz的高频运用都有，是一种广受爱用的应用组件


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