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多点触控技术剖析 (2009.09.01)
本文介绍了多点触控技术以及触控萤幕和触控萤幕控制器。两种多点触控技术多点触控手势识别（Multi-Touch Gesture）和多点触控全区输入（Multi-Touch All-Point），各有其特色，触控萤幕和触控萤幕控制器是整个模组核心所在 |
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轴交错式PCT技术在ITO透明导电层的设计上有那些重要的参数？ (2009.05.26)
轴交错式PCT技术在ITO透明导电层的设计上有那些重要的参数？ |
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Digi-Key增加Cree针对微波应用的氮化镓 (2009.02.02)
Digi-Key与Cree宣布，Digi-Key已开始进货Cree针对通用微波应用的氮化镓 (GaN)HEMT晶体管。使Digi-Key的Cree产品线包含SiC电源零组件、SiC MESFET、高亮度及高功率 LED，以及现在的GaNHEMT晶体管 |
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英飞凌推出小体积射频天线防护二极管 (2008.11.21)
英飞凌科技发表小体积的瞬时电压抑制（TVS）二极管，用来保护最新电子设备的天线，应用的范围包括GPS、行动电视、FM调频收音机、车用「遥控车门开关」及「胎压监测系统」 |
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英飞凌全新节能MOSFET系列产品提供行动应用 (2007.10.27)
英飞凌科技近日发表应用于行动电子设备直流/直流转换器的全新功率半导体产品。新款OptiMOS 3 M 30V N信道 MOSFET系列产品锁定只使用5伏特驱动的应用，除了适用于一般行动和手持式装置，还可应用在显示适配器、工业控制、内嵌转换器、切换式电源供应器和笔记本电脑主板上的许多插槽 |
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BiCMOS制程提供放大器更高精确度 (2006.05.02)
美国国家半导体（NS）为供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术，VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅（SOI）的BiCMOS制程，其中采用的薄膜电阻不仅可以微调 |
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安捷伦针对RFIC、MMIC与RF System-in-Package设计发表仿真技术 (2005.04.07)
Agilent Technologies（安捷伦科技）日前发表的EDA电子设计自动化软件，其中包括突破性频域仿真核心技术，可提供更快速、更准确的RFIC、MMIC、以及RF system-in-package（SiP）设计仿真能力 |
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飞利浦发表高性能静电放电防护二极管 (2004.10.27)
皇家飞利浦公司发表一系列单线、双向的静电放电防护二极管(electro-static discharge, ESD)，专为保护如MP3播放器及手机等设备，不受ESD和其他可能高达30kV的电压感应瞬间电流脉冲(transient pulses)的伤害所设计 |
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电路板与零件之寄生可能造成最大损坏之处 (2004.03.05)
电路板布线会产生主要的寄生元件为电阻、电流及电感。本文量化了高复杂度电路板寄生元件、电路板电容，并列举电路板性能的例子加以说明。 |
