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宏微科技高速型IGBT模组显著提升大功率高频设备的效率 (2016.10.14)
宏微科技HN系列1200V IGBT模组采用最新一代英飞凌高速型IGBT晶片，是少数市场上仅有的高速型IGBT模组，经由适当的封装设计，该产品系列模组提供给客户50A~800A不等的多款规格选择
宏微科技推出大功率低压MOSFET模组 (2016.10.14)
在全世界积极推展清洁能源的同时，另一方面如何协助更有效率使用能源也是一大课题，宏微科技已成功开发出多款大功率低压MOSFET模组，该系列产品让电力电子工程师在设计低压大电流应用来得更容易，模组化外壳也显著地减低系统整机的运转温度，解决了大功率MOSFET线路设计的各种麻烦
宏微发表新一代600V全系列快速恢复二极管 (2010.10.12)
宏微科技近日宣布，推出新一代600V系列快速恢复二极管（FRED），芯片制程上采用磊晶平面设计，单一芯片功率范围从1A～100A，能满足多类型开关电源应用。透过自行研发芯片技术的革新


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