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3D DRAM新突破！ 国研院联手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
国研院半导体中心与旺宏电子合作，成功开发「新型高密度、高频宽3D动态随机存取记忆体（3D DRAM）」，此技术突破传统2D记忆体限制，采用3D堆叠技术，大幅提升记忆体密度与效能，且具备低功耗、高耐用度优势，有助於提升AI晶片效能 |
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应用材料新一代电子束系统技术加速晶片缺陷检测 (2025.02.25)
电子束成像一直是重要的检测工具，可看到光学技术无法看到的微小缺陷。应用材料公司推出新的缺陷复检系统，帮助半导体制造商持续突破晶片微缩的极限。应材的SEMVision H20系统将电子束（eBeam）技术结合先进的AI影像辨识，能够提供更精准、快速分析先进晶片的奈米级缺陷 |
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科林研发新型导体蚀刻机台具备新颖电浆处理技术 (2025.02.25)
Lam Research科林研发推出先进的导体蚀刻机台 Akara ━ 突破创新电浆蚀刻领域的效能。Akara 具备新颖的电浆处理技术，可实现 3D 晶片制造所需的卓越蚀刻精度和效能，助力晶片制造商克服面临的关键微缩挑战 |
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乾式光阻技术可有效解决EUV微影制程中的解析度与良率挑战 (2025.01.17)
随着半导体技术迈向 2nm 及以下的节点，制程技术的每一步都成为推动摩尔定律延续的重要基石。在这其中，乾式光阻（dry resist）技术的出现，为解决极紫外光（EUV）微影制程中的解析度与良率挑战提供了突破性解决方案 |
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CTIMES编辑群解析2025趋势 (2025.01.10)
每年的一月，CTIMES编辑群们针对自身所关注的领域，提出各自对於科技产业的观察心得与看法。今年AI应用在各产业所发挥的影响力更甚於以往，为产业增添许多的新变数，并持续为产业造就出更多的样貌 |
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半镶嵌金属化：後段制程的转折点？ (2025.01.03)
五年多前，比利时微电子研究中心（imec）提出了半镶嵌（semi-damascene）这个全新的模组方法，以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。 |
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IEEE公布2024十大热门半导体文章 揭示产业未来趋势 (2024.12.31)
IEEE spectrum日前精选了2024年最受欢迎的十大热门半导体文章，作为回顾一整年的总结，同时也展??2025的新发展，以下就是其精选的内容：
1. 兆级电晶体GPU: 台积电预测十年内单个GPU将容纳一兆个电晶体 |
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Intel Foundry透过使用减材?? 提升电晶体容量达25% (2024.12.24)
英特尔晶圆代工（Intel Foundry）在2024年IEEE国际电子元件会议（IEDM）上公布了新的突破。包括展示了有助於改善晶片内互连的新材料，透过使用减材??（subtractive Ruthenium）提升电晶体容量达25% |
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奈米科技助阵 微晶片快筛时代即将来临 (2024.12.17)
全球面临各种健康威胁，快速、可靠的居家诊断测试需求日益迫切。纽约大学坦登工程学院研发出突破性微晶片技术，可??实现多疾病同步检测、数据即时传输，将居家诊断推向新纪元 |
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台积电发表N2制程技术 2奈米晶片效能再升级 (2024.12.16)
台积电本周於旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发表了其下一代名为N2的2奈米电晶体技术，也是台积电全新的电晶体架构━环绕闸极(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也拥有生产类似电晶体的制程，英特尔和台积电，以及日本的Rapidus都预计在2025年开始量产 |
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碳化矽市场持续升温 SiC JFET技术成为关键推动力 (2024.12.11)
随着全球对高效能源与高性能技术需求的增加，碳化矽（SiC）市场正迎来快速增长。碳化矽材料因其优异的热稳定性、高击穿电压与高功率密度性能，成为许多高效能应用的首选，涵盖电动车、再生能源系统以及资料中心等领域 |
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??侠发表全新记忆体技术OCTRAM 实现超低功率耗 (2024.12.10)
记忆体商??侠株式会社（Kioxia Corporation），今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，这是一种新型 4F2 DRAM，采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体 |
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双列CFET结构全新标准单元结构 推动7埃米制程 (2024.12.09)
在本周举行的 2024年IEEE国际电子会议（IEDM） 上，比利时微电子研究中心（imec）展示了一项突破性的技术创新：基於互补式场效电晶体（CFET）的双列标准单元架构。这种设计采用了两列CFET元件，并共用一层讯号布线墙，成功实现制程简化与显着的面积缩减，为逻辑元件和静态随机存取记忆体（SRAM）开辟了微缩新途径 |
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半导体业界持续革命性创新 有助於实现兆级电晶体时代微缩需求 (2024.12.09)
随着人工智慧（AI）应用迅速崛起，从生成式AI到自动驾驶和边缘运算，对半导体晶片的需求也随之激增。这些应用要求更高效能、更低功耗以及更高的设计灵活性。尤其在2030年实现单晶片容纳1兆个电晶体的目标下，半导体产业面临着重大挑战：电晶体和晶片内互连的持续微缩、材料创新以突破传统设计的限制，以及先进封装技术的提升 |
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贸泽电子、ADI和Bourns合作出版全新电子书 探索电力电子装置基於GaN的优势 (2024.12.03)
贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家谈论氮化??技术）探讨GaN技术如何彻底改变电力电子技术，达到比矽更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度 |
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英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和闸极电荷（Qg）均减少了多达 60% |
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应材於新加坡举行节能运算高峰会 推广先进封装创新合作模式 (2024.11.21)
为加速推进高效能、低功率的AI晶片新封装技术，应对次世代节能运算需求。应用材料公司近日於新加坡主办高峰会，除集结超过20多位半导体产业顶尖的研发领袖，并鼓励设备制造商、材料供应商、元件厂商与研究机构之间联盟合作，并采用专为加速先进晶片封装技术商业化而设计的新合作模式，宣布推动全球EPIC创新平台扩展计画 |
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贸泽与ADI合作全新电子书探索电子设计电源效率与耐用性 (2024.11.13)
贸泽电子（Mouser Electronics）与美商亚德诺（ADI）合作出版全新的电子书，重点介绍最隹化电源系统的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（为未来提供动力：实现效率和耐用性的进阶电源解决方案）中，ADI和贸泽的主题专家针对电源系统中最重要的元件、架构和应用提供深入分析 |
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3D IC 设计入门：探寻半导体先进封装的未来 (2024.11.12)
CTIMES 东西讲座日前举办了一场以「3D IC 设计的入门课」为主题的讲座，邀请到Cadence技术经理陈博??，以浅显易懂的方式，带领听众了解3D IC设计的发展趋势、技术挑战和未来展?? |
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三菱电机将交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片样品 (2024.11.12)
三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric）宣布，将开始发货用於驱动马达的碳化矽 （SiC) 金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）裸晶片样品11月14日，三菱电机推出电动车（EV）、??电式混合动力车（PHEV）和其他电动车（xEV）的逆变器 |
