记忆体商??侠株式会社（Kioxia Corporation），今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，这是一种新型 4F2 DRAM，采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体。此技术预计将藉由InGaZnO晶体的超低漏电特性实现低功耗DRAM。

/news/2024/12/10/1943257780S.jpg

该技术於2024 年12月9日在美国加州旧金山举行的 IEEE 国际电子元件会议 (IEDM) 上首次发表，由南亚科技和??侠共同开发。这项技术有??降低包括人工智慧、後5G通讯系统和物联网产品等各种应用的功耗。

OCTRAM采用圆柱形 InGaZnO垂直电晶体作为单元电晶体。这种设计可适用於4F2 DRAM，与传统的矽基 6F2 DRAM相比，在记忆体密度方面具有显着优势。

透过元件和制程最隹化，InGaZnO 垂直电晶体实现了超过 15μA/cell (1.5 x 10-5 A/cell) 的高导通电流和低於 1aA/cell (1.0 x 10-18 A/cell) 的超低截止电流。在 OCTRAM 结构中，InGaZnO垂直电晶体整合在高深宽比电容器的顶部（电容器优先制程）。这种布局允许将先进电容器制程与 InGaZnO性能之间的相互作用分离。