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??侠与SanDisk携手突破3D快闪记忆体技术 NAND速度达4.8Gb/s (2025.02.20)
Kioxia Corporation(??侠)与SanDisk近日共同宣布,在3D快闪记忆体技术上取得重大突破,推出业界领先的技术,不仅实现了4.8Gb/s的NAND介面速度,更在功耗和密度方面表现卓越
生成式AI将使智慧手机转为兼具生产力与娱乐功能的多用途平台 (2025.02.10)
在生成式AI出现前,智慧型手机市场的发展主要聚焦於硬体性能升级与摄影、游戏等娱乐应用。然而,这些创新多属於增量式改进,市场竞争趋於饱和,成长空间受限。生成式AI的崛起带来了全新的变革,使智慧型手机不再仅是资讯消费工具,而是转变为能够创造内容、执行语音助手、自动生成图像与文字的智慧型装置
SOT-MRAM记忆体技术重大突破 有??改写电脑快取架构 (2025.02.10)
德国约翰古腾堡大学(JGU)研究团队携手法国Antaios公司,在自旋轨道扭矩(SOT)磁性随机存取记忆体(MRAM)技术上取得关键性进展。这项创新技术展现了取代现有电脑快取记忆体的潜力,为高效能运算开辟新道路
半镶嵌金属化:後段制程的转折点? (2025.01.03)
五年多前,比利时微电子研究中心(imec)提出了半镶嵌(semi-damascene)这个全新的模组方法,以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。
DRAM制程节点持续微缩并增加层数 HBM容量与性能将进一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速发展,记忆体技术成为推动这一技术突破的关键。生成式 AI 的模型训练与推理需要高速、高频宽及低延迟的记忆体解决方案,以即时处理海量数据。因此,记忆体性能的提升已成为支撑这些应用的核心要素
Weebit Nano授权ReRAM技术给安森美半导体 (2025.01.02)
以色列记忆体技术开发商Weebit Nano Limited宣布,已将其电阻式随机存取记忆体 (ReRAM) 技术授权给安森美半导体。 根据协议条款,Weebit ReRAM IP将整合到安森美半导体的Treo平台中,以提供嵌入式非挥发性记忆体 (NVM)
汽车微控制器技术为下一代车辆带来全新突破 (2024.12.26)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)深耕汽车市场已超过30年,为客户提供涵盖典型车辆中多数应用的多元产品与解决方案。随着市场的发展,ST的产品阵容不断精进,其中汽车微控制器(MCU)是关键之一
CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI节点 重新定位铁电记忆体 (2024.12.11)
CEA-Leti工程师在IEDM论坛中首次展示了基於????铁电材料的可扩展电容平台,并将其整合到22奈米FD-SOI技术节点的後端制程(BEOL)中。这项突破性的成果代表了铁电记忆体技术的重大进展,显着提升了嵌入式应用程式的可扩展性,并将铁电RAM (FeRAM)定位为先进节点的竞争性记忆体解决方案
Rambus与美光延长专利授权协议 强化记忆体技术力 (2024.12.11)
半导体IP商Rambus今日宣布,已与美光(Micron )专利授权协议期限延长五年。该延长协议维持现有授权条款,允许Micron在2029年底前广泛使用Rambus专利组合。其他条款和细节保密
??侠发表全新记忆体技术OCTRAM 实现超低功率耗 (2024.12.10)
记忆体商??侠株式会社(Kioxia Corporation),今日宣布开发出全新记忆体技术OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM),这是一种新型 4F2 DRAM,采用具备高导通电流和超低截止电流的氧化物半导体电晶体
HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。 尽管HBM在性能上具有显着优势,但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。 TSV技术是HBM实现高密度互连的关键,但也带来了测试的复杂性
imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心(imec),在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔(ASML)合作建立的高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)微影实验室中,利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机,发表了曝光後的图形化元件结构
Microchip能第五代PCIe固态硬碟控制器系列 可管理企业和资料中心工作负载 (2024.08.06)
人工智慧(AI)的蓬勃发展和云端服务的快速普及正推动对更强大、更高效和更高可靠性的资料中心的需求。为满足日益增长的市场需求,Microchip Technology推出Flashtec NVMe 5016固态硬碟 (SSD) 控制器
美光宣布量产第九代NAND快闪记忆体技术 (2024.07.31)
美光科技宣布,采用第九代(G9) TLC NAND技术的SSD现已开始出货。美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s,不论是在个人装置、边缘伺服器,或是企业及云端资料中心,这颗NAND新品均可展现效能,满足人工智慧及其他运用大量资料的使用情境
??侠推出全新第八代 BiCS FLASH技术的2Tb QLC样品 (2024.07.03)
??侠公司(Kioxia)宣布第八代2Tb四层单元(Quad-Level-Cell;QLC)样品开始供货BiCS FLASH 3D快闪记忆体技术。这款2Tb QLC设备将储存设备提升到高容量,将推动包括AI在内的多个应用领域成长
从应用端看各类记忆体的机会与挑战 (2024.07.02)
各类记忆体在不同领域也就各具优势和挑战。随着技术的进步和应用需求的多样化,记忆体技术将向更高性能、更低功耗和更大容量的方向发展,也会有各类同质或异质性记忆体整合的平台,来提供更加完善的解决方案
高速运算平台记忆体争霸 (2024.07.02)
各类AI应用的市场需求庞大,各种记忆体的竞争也异常的激烈,不断地开发更新产品,降低成本,企图向上向下扩大应用,只有随时保持容量、速度与可靠度的优势才是王道
记忆体应用发展的关键指标 (2024.07.01)
记忆体发展轨迹是随着越来越庞大的运算与感测功能而亦步亦趋,其应用发展的关键指标就会以容量、速度为重点来观察。当容量与速度越来越大、越来越快,可靠度也是未来发展的关键指标
台湾AI关键元件的发展现况与布局 (2024.06.13)
就人工智慧(AI)装置的硬体来看,关键的零组件共有四大块,分别是逻辑运算、记忆体、PCB板、以及散热元件。他们扮演着建构稳定运算处理的要角,更是使用者体验能否优化的重要辅助
[COMPUTEX] 信??展出新一代BMC晶片及全景智慧视觉化远端管理应用 (2024.06.05)
因应云端服务中优化运算的趋势,信??科技在台北国际电脑展COMPUTEX 2024首次亮相第八代远端伺服器管理晶片(Baseboard Management Controller;BMC)AST2700系列,这一款采用12奈米先进制程技术BMC晶片


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