Kioxia Corporation（??侠）与SanDisk近日共同宣布，在3D快闪记忆体技术上取得重大突破，推出业界领先的技术，不仅实现了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表现卓越。

这项创新技术於ISSCC 2025（国际固态电路研讨会）上亮相，结合了双方革命性的CBA（CMOS直接键合到阵列）技术，采用最新的Toggle DDR6.0 NAND快闪记忆体介面标准，并利用SCA（独立命令位址）协议和PI-LTT（电源隔离低端接端）技术，进一步降低功耗。

相较於目前量产的第八代3D快闪记忆体，这项技术预计可将NAND介面速度提升33%，达到4.8Gb/s。同时，资料输入/输出的功耗也得到显着改善，输入功耗降低10%，输出功耗更降低了34%，在高效能和低功耗之间取得了平衡。展??第十代3D快闪记忆体，两家公司透露，透过增加记忆体层数至332层，并优化平面密度，位元密度将提高59%。

Kioxia和SanDisk也分享了即将推出的第九代3D快闪记忆体的计画。借助其独特的CBA技术，两家公司能够将新的CMOS技术与现有的记忆体单元技术相结合，提供具备成本效益、高效能和低功耗的产品。双方将持续致力於开发尖端的快闪记忆体技术，提供客制化的解决方案，满足客户需求，并为数位社会的发展做出贡献。