美光科技今宣布，其全球首款 232 层 NAND 已正式量产。它具备业界最高的单位储存密度（areal density），并提供与前几代 NAND 相比更高的容量和更隹的能源效率，能提供从终端使用者到云端之间大部分数据密集型应用最隹支援。

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美光技术与产品执行??总裁 Scott DeBoer 表示：「美光的 232 层 NAND 作为储存装置创新的分水岭，首次证明了我们具有将 3D NAND 扩展到 200 层以上的制造能力。这项开创性的技术涵盖诸多层面的创新，包括建立高深宽比结构的先进制程能力、新型材料的开发，以及针对美光独步业界的 176 层 NAND 技术所进行的设计改进。」

美光的 232 层 NAND 技术不仅具备必要的高性能储存，可以支援资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。

该技术节点达到了NAND I/O 速度：2.4 GB/s，将满足以数据为中心的工作负载（如人工智慧、机器学习、非结构化资料库和实时分析、云端运算等）的低延迟和高吞吐量需求，比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%，读取频宽亦增加超过 75%，这些优势将进一步强化 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能源效率。

此外，美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 快闪记忆体3中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。

美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与过去的 I/O 介面相比可节省每位元传输逾 30%，因此，232 层 NAND 解决方案得以为在提高性能和低功耗之间力求平衡的行动应用、资料中心、智慧边缘的部署提供理想的後援。该介面亦向下相容，支援旧款控制器和系统。

232 层 NAND 的单位储存密度 较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND，在更小的空间内实现更高的容量也有助於大幅降低应用时所占据的主机板空间。