半導體製造商ROHM推出6款溝槽閘結構SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」產品（耐壓650V／1200V），適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。

評估板結構

此次新研發的系列產品採用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可減少約35％，有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。

另外ROHM也已開始供應SiC MOSFET評估板P02SCT3040KR-EVK-001，其內建適合驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC（BM6101FV-C）、各類電源IC及離散式產品，是一款容易進行元件評估的解決方案。

本系列產品已於2019年8月起以每月50萬個的規模逐步投入量產（樣品價格2,100日元起，不含稅）。製造據點為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡）。

近年來隨著AI和IoT的發展，雲端服務的需求日益增加的同時，全球對資料中心的需求也隨之成長。資料中心所用的伺服器正朝著大容量、高性能方向發展，因此降低功耗便成為必須面對的問題。另一方面，傳統伺服器的功率轉換電路中，主要是採用矽（Si）元件，但目前市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。尤其，與傳統封裝相比，採用TO-247-4L封裝的SiC MOSFET，可降低開關損耗，因此有望用於伺服器、基地台、太陽能發電等高輸出設備。

既2015年ROHM領先全球成功量產溝槽閘結構SiC MOSFET後，此次開發出650V／1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET，未來也會在開發各種革新性元件的同時，推出適合SiC驅動的閘極驅動器IC解決方案，降低各類設備的功耗。

特點

採用4引腳封裝（TO-247-4L），開關損耗減少約35％

在傳統的3引腳封裝（TO-247N）中，源極引腳的電感成分易引起閘極電壓下降，並延遲開關速度。

本次SCT3xxx xR系列所採用的4引腳封裝（TO-247-4L），可分離電源源極引腳和驅動器源極引腳，因此可減低電感成分的影響，充分發揮SiCMOSFET高速開關的性能，還且還能夠大幅改善導通損耗。且與傳統產品相比，導通損耗和關斷損耗合計約可減少35％的損耗。

產品陣容

SCT3xxx xR系列為採用溝槽閘結構的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型，其中包括3款650V的機型和3款1200V的機型。

應用範例

伺服器、基地台、太陽能逆變器、蓄電系統、電動車充電站等。

評估板資訊

SiC MOSFET評估板P02SCT3040KR-EVK-001中內建適合於驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及離散式產品，可輕易進行評估。為了提供相同條件的評估環境，該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品，還能安裝並評估TO-247N封裝的產品。另外該評估板還可進行雙脈衝測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。