3D IC作为新兴的半导体制程技术之一，已吸引许多关注的目光，但同时也引来许多的争议。尤其是与SiP技术间的差异。对此，专精于芯片封装的半导体技术供货商Tessera提出了独到的看法。

Tessera互连、组件与材料部门资深副总裁Craig Mitchell

SiP技术已普遍用在手机上

Tessera互连、组件与材料部门资深副总裁Craig Mitchell表示，在现今市场上，SiP技术已普遍用在手机上。尤其在智能型手机中，可以找到两到三个，甚至是四个SiP，因为这项技术已被广泛地运用在蓝牙、WiFi与GPS等无线技术上。此外，快闪记忆卡也可被视为SiP应用的一种。随着这些应用的普及，每年约有数十亿颗SiP芯片被制造并销售到市面上。

单就手机市场的普遍应用来看，Mitchell认为SiP的基础技术已相对成熟。然而，SiP应被视为能够不断发展的工具套件，以符合特定应用在尺寸、效能，或是价格需求。但他也指出，SiP技术仍存在许多挑战，其中最主要的挑战为讯号整合、功率分布及散热，尤其是在尝试结合模拟与数字科技时。同时，为了能更完整地发挥SiP技术的优势，设计与制模工具也需要被有效地改善。

3D IC是电子装置持续微型化与整合的重要阶段

至于3D IC技术，Mitchell表示，3D IC是电子装置持续微型化与整合的下个重要阶段。在整体半导体产业中，许多公司都在研发能符合该领域需求的技术，而硅穿孔（TSV）就是一项特殊的技术，并已引起市场的高度关注，许多公司也已推出适合量产的TSV技术。

SiP与3D IC是互补的技术 而非竞争

而对于SiP与3D IC之间的争议，Mitchell则认为，SiP与3D IC是互补的技术，而非相互竞争。他表示，这两项技术在3D整合工具套件中，皆有相当的价值。相较于SiP技术在「芯片外（off-chip）」封装所造成的延迟与互连密度限制，3D IC技术则是藉由提供装置间虚拟的「芯片上（on-chip）」路由，能在芯片间提供更高速度与更大的带宽。另一方面，由于SiP技术运用已完善建立的基础架构，因此成本通常较低，且较容易建置。

Mitchell强调，每一项新技术都会面临挑战，而且在大多数的情况里，这些挑战都会被克服。虽然这些挑战通常都与特定应用相关，但3D IC技术一般来说会面临的主要挑战包含：有效的设计与制模工具、电源管理、热量管理、基础建设的完善度，以及最终成本的控制。此外，随着这个产业朝向异质3D IC堆栈整合的方向发展，为了解决良裸晶粒（known-good-die）问题，并协调不同装置来源的设计与产品，将会衍伸出物流与商业上的诸多挑战。