由于非晶硅技术具有低温制程与低成本制造等优点，使得氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)被广泛的利用在平面显示应用上，用来控制画面灰阶的变化，更可以被应用在主动式有机发光显示器中，作为驱动OLED组件的驱动组件。然而，氢化非晶硅材料是一种光导电物质，在可见光的照射下，由于电子电洞对大量产生下，其导电率便会显著的上升，造成的薄膜晶体管漏电流的上升，连带使得画素中储存电容中所储存的电荷流失，进而影响画面质量。因此，如何抑制薄膜晶体管在光照射下的漏电流及提升晶体管组件的效能是一个重要的课题。

本课程内容将介绍非晶硅薄膜材料(a-Si:H film)以及非晶硅晶体管组件(a-Si:H TFT)的各种光与电的不稳定特性，并提供ㄧ种新颖且简易的技术来抑制非晶硅晶体管组件的光漏电流，同时提升导通电流以及增加薄膜晶体管的电性可靠度。