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3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能 |
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應用材料新一代電子束系統技術加速晶片缺陷檢測 (2025.02.25)
電子束成像一直是重要的檢測工具，可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統，幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束（eBeam）技術結合先進的AI影像辨識，能夠提供更精準、快速分析先進晶片的奈米級缺陷 |
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科林研發新型導體蝕刻機台具備新穎電漿處理技術 (2025.02.25)
Lam Research科林研發推出先進的導體蝕刻機台 Akara ─ 突破創新電漿蝕刻領域的效能。Akara 具備新穎的電漿處理技術，可實現 3D 晶片製造所需的卓越蝕刻精度和效能，助力晶片製造商克服面臨的關鍵微縮挑戰 |
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乾式光阻技術可有效解決EUV微影製程中的解析度與良率挑戰 (2025.01.17)
隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案 |
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CTIMES編輯群解析2025趨勢 (2025.01.10)
每年的一月，CTIMES編輯群們針對自身所關注的領域，提出各自對於科技產業的觀察心得與看法。今年AI應用在各產業所發揮的影響力更甚於以往，為產業增添許多的新變數，並持續為產業造就出更多的樣貌 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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IEEE公布2024十大熱門半導體文章 揭示產業未來趨勢 (2024.12.31)
IEEE spectrum日前精選了2024年最受歡迎的十大熱門半導體文章，作為回顧一整年的總結，同時也展望2025的新發展，以下就是其精選的內容：
1. 兆級電晶體GPU: 台積電預測十年內單個GPU將容納一兆個電晶體 |
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Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25% |
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奈米科技助陣 微晶片快篩時代即將來臨 (2024.12.17)
全球面臨各種健康威脅，快速、可靠的居家診斷測試需求日益迫切。紐約大學坦登工程學院研發出突破性微晶片技術，可望實現多疾病同步檢測、數據即時傳輸，將居家診斷推向新紀元 |
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台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級 (2024.12.16)
台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產 |
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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程簡化與顯著的面積縮減，為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）開闢了微縮新途徑 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式 (2024.11.21)
為加速推進高效能、低功率的AI晶片新封裝技術，應對次世代節能運算需求。應用材料公司近日於新加坡主辦高峰會，除集結超過20多位半導體產業頂尖的研發領袖，並鼓勵設備製造商、材料供應商、元件廠商與研究機構之間聯盟合作，並採用專為加速先進晶片封裝技術商業化而設計的新合作模式，宣布推動全球EPIC創新平台擴展計畫 |
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貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
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3D IC 設計入門：探尋半導體先進封裝的未來 (2024.11.12)
CTIMES 東西講座日前舉辦了一場以「3D IC 設計的入門課」為主題的講座，邀請到Cadence技術經理陳博瑋，以淺顯易懂的方式，帶領聽眾了解3D IC設計的發展趨勢、技術挑戰和未來展望 |
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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
