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意法半導體電隔離柵極驅動器 控制並保護SiC、MOSGET、IGBT
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年08月15日 星期三

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意法半導體(STMicroelectronics)的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓,能讓使用者選擇獨立的導通/關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能,其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率電晶體。

意法半導體功能豐富的電隔離柵極驅動器控制並保護碳化矽或矽功率電晶體。
意法半導體功能豐富的電隔離柵極驅動器控制並保護碳化矽或矽功率電晶體。

STGAP2SCM配備一個主動米勒鉗位專用腳位,提供一個防止半橋架構意外導通的簡便解決方案。在MOSFET關斷狀態時,該腳位可將MOSFET柵極電壓限制在隔離接地電壓,直到下一個真正的導通訊號出現為止。

STGAP2SM具有獨立的導通/關斷輸出,可搭配兩個外部柵極電阻來優化電晶體開關性能。

全系列STGAP2S驅動器標配4A rail-to-rail輸出,即使驅動大功率逆變器,也能確保開關操作迅速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內,在高開關頻率下也能達到PWM精確的控制,滿足SiC元件的驅動要求。出色的抗dV/dt共模瞬變干擾能力,使其能夠防止耗能的雜散開關操作。

元件內建1700V電隔離功能,可以降低消費或工業用馬達驅動器、600V或1200V變頻器、DC/DC轉換器、充電器、電焊機、感應爐、不斷電供應系統(Uninterruptible Power Supply,UPS)和功率因數校正(Power-Factor Correction,PFC)控制器的物料成本。

這些產品整合全面的保護功能,其中,欠壓鎖定(Under-Voltage Lockout,UVLO)可在電源電壓過低時保護電源開關。此外,過熱保護和硬體互鎖可以防止半橋電路中的高/低邊交叉導通;待機模式可在節省電源的同時將輸出保持在安全狀態。

EVALSTGAP2SCM評估板提供了一個快速、簡便的開發方法,方便設計人員迅速著手設計。

關鍵字: 電隔離柵極驅動器  SiC  MOSFET  IGBT  ST(意法半導體
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