全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中採用Transphorm公司的氮化鎵（GaN）技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管（FET）平台，具有系統設計簡單，元件數量少，高性能，高可靠等優點。

Transphorm用於低功耗應用的高可靠性元件能簡化電源系統的開發，減少元件數量；是18億美元規模的配接器市場的成熟解決方案。

飛宏的65W配接器外形小巧（51 x 55.3 x 29 mm），配備兩個USB-C埠和一個USB-A埠（2C1A），可同時為三台設備充電。這款充電器採用單一650V SuperGaN元件TP65H300G4LSG，與採用準諧振反馳模式（QRF）拓撲結構的矽解決方案相比，功率損失可減少約17%。該配接器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認證的PQFN88表面黏著元件，具有+/-18V閘極安全裕度。FET適合於建立在QRF、主動鉗位反馳模式（ACF）或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用。

Transphorm的TP65H300G4LSG具有與矽類似的閾值水準和高閘極擊穿電壓（最大+/-18 V）。它可以與現成的控制器（包括含有整合驅動器的控制器）配合使用，無需負偏置電壓。這些功能可簡化電源系統的設計；消除對額外週邊電路的需求，從而減少元件數量；同時還能增加整個系統的可靠性—這些都是飛宏決定採用Transphorm FET的關鍵原因。Transphorm的氮化鎵FET具有簡單可設計性和可驅動性，並且具有高閘極穩健性。

根據Facts and Factors近期發表的報告顯示，預計到2026年全球交流轉直流配接器市場規模將達到18.54億美元，年複合成長率為12.7%。Transphorm也在5月份的報告中指出，其240毫歐元件的發展態勢正在不斷加強，公司獲得了亞洲大型手機（65W）專案和領先的WW電子零售商（140W）專案的ODM預生產訂單。此外，該公司的市占率成長還歸功於成功贏得一家大企業的另一項筆記型電腦配接器設計專案，其中包括5萬個SuperGaN 240毫歐FET的初始採購訂單。這些FET可以為65W快充配接器應用提供更高的效率，而競爭對手的e-mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐元件來滿足類似應用的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN FET使客戶能夠利用更小的元件實現更強的性能。

Transphorm亞太區銷售副總裁Kenny Yim表示：「SuperGaN平台從一開始就圍繞四大關鍵原則打造：可靠性、可設計性、可驅動性和可重複性。我們的240毫歐元件也不例外。我們讓配接器製造商能夠設計出體積小、重量輕、發熱少的產品，並提供尖端的先進USB充電功能。這些創新正在推動全球配接器市場對氮化鎵的採用，使我們有能力透過大量生產能力支援高性能的解決方案，從而鞏固市場地位。」

TP65H300G4LSG目前可透過得捷電子和貿澤電子取得。