SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗。

威世SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET的設計初衷就是要提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率。其採用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低於2mΩ級別中的最低輸出電容。

與採用6x5mm封裝的類似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET佔用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實現了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含鹵素。

這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流；針對電訊、伺服器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關；用於伺服器和電訊設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器；電訊和伺服器電源中的OR-ing功能；用於開關電容器或開關箱轉換器的功率級；電動工具和工業設備中的電機驅動控制；以及電池管理模組中的電池保護和充電。