美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF電晶體，擴展其基於碳化矽(silicon carbide, SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride, GaN)高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)技術的射頻(radio frequency, RF)功率電晶體系列之陣容。在全系列空中交通管制和防撞設備中，MDSGN-750ELMV提供了突出且最高的功率性能。目標應用包括商用二次監視雷達(secondary surveillance radar, SSR)，這種設備全球各地都在使用，以詢問和識別距離機場地區和區域中心大約200英里範圍內的飛機。

美高森美公司RF整合式解決方案部門副總裁兼總經理David Hall表示：“美高森美在RF解決方案領域所擁有的領導廠商之聲譽，是建立在其30年深厚的經驗、傑出的工程技術團隊，以及專注提供突破性能和可靠性限制的新產品方面。從元器件到組件和客製化封裝，我們將繼續投資所需的技術和設備，進一步鞏固我們的領先地位，並且為我們的客戶提供更好的服務。”

當在1030/1090MHz下工作，MDSGN-750ELMV可提供無與倫比的750 W峰值功率和17分貝(dB)功率增益及典型的70%汲極效率性能，在覆蓋此頻帶的此類單端器件中，它具有最大的功率。

此外，對於1030MHz地面詢問機和1090MHz空用答詢器(airborne transponder)，新的RF器件能夠應對嚴苛的商業模式S(Mode-S)擴展長度資訊(Extended Length Message，ELM)脈衝條件，並且可以用於高性能地面輸出級。ELM讓空中旅行變得更加安全，因為它可促進共用天氣和飛機空中交通態勢感知資訊在某一區域場所內的溝通。在商用空對空(air-to-air)交通警告和防撞系統(collision avoidance systems，TCAS)及敵我識別(Identify Friend or Foe，IFF)系統中，它也是理想的選擇，這些都是在特定地區中保護友好飛機所必備的系統。

關鍵技術特性：

‧ ELM脈衝格式 - 數量48脈衝的叢發(burst)： 32 us(通)/ 18 us(斷)

叢發重複週期： 24毫秒

長期占空比： 6.4%

‧ 出色的輸出 功率： 750 W

‧ 高功率增益： >17.2分貝最小值

‧ 極佳的汲極效率： 70%汲極效率

‧ 汲極偏壓 - Vdd: +50 V

‧ 擊穿電壓(BVdss) >200V

‧ 低熱阻： 0.24 ℃/W

‧ -40 至 +85℃範圍功率輸出溫度穩定性: < ±0.7分貝

GaN on SIC HEMT器件具有多項優於替代製程技術的優勢，包括更高的功率性能、節省材料成本和減少器件占位面積。例如，MDSGN-750ELMV可提供以下的效益：

‧ 單端設計採用簡化的阻抗匹配，替代需要額外組合層次的低功率器件

‧ 最高的峰值功率和功率增益簡化系統功率級和末級組合

‧ 單端輸出級對(pair)提供帶有餘量的1.5 kW峰值輸出功率

‧ 四個輸出級對組合提供全系統>5 kW的峰值輸出功率

‧ 50V 偏壓可以使用現有的電源軌，減少DC電流需求

‧ 改善系統良率的穩健性能

‧ 與採用矽雙極接面電晶體(silicon bipolar junction transistors，Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(laterally diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)器件相比，放大器尺寸縮小了50%

‧ 擊穿電壓動態餘量比矽雙極型和矽LDMOS器件大得多，並且在更高的結溫下工作，提供更穩健的運行和更長的MTTF

‧ 在-55至+85℃範圍的出色溫度穩定性

除了RF元件，美高森美的商用航空產品組合還包括：FPGA、TVS二極體、整合式的標準和客製化產品、積體電路、電源調節和管理元件及模組、專用積體電路(ASIC)、微波器件和元件、高密度記憶體產品、客製化半導體封裝和整合式配電系統。