南韓海力士半導體（Hynix Semiconductor）宣佈，該公司已經與新一代記憶體STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）的技術開發商Grandis，簽訂了STT-RAM的技術授權及共同開發協議。根據協議內容，海力士將從Grandis獲得STT-RAM技術授權，未來兩公司的研究人員也將在產品開發領域進行合作。

海力士是首家與主導STT-RAM開發領域的Grandis簽訂技術導入及共同技術開發協議的南韓廠商。透過這次次的協議，可確保海力士儘快掌握新一代記憶體技術、並提高今後領先於市場的可能性。另外，與PRAM和ZRAM等一起構築起多樣化的新一代記憶體技術，還可進一步確保靈活性，以應對市場主導產品的變化。

STT-RAM為採用自旋電流（Spin-Polarized）移轉效應所開發的一種非揮發性（Non-Volatile）記憶體，較現有的磁阻式隨機存取記憶體（Magnetic RAM；MRAM）具有更多優勢，包括無限次數的讀寫週期，低耗電，運算速度更快。