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海力士成功開發24層NAND Flash堆疊封裝技術
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2007年09月13日 星期四
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海力士半導體（Hynix Semiconductor）成功開發出24層堆疊、每層厚度為25μm的NAND型快閃記憶體，總厚度為1.4mm的MCP多晶片封裝。這是在目前的MCP產品之中，堆疊層數最多的一次。
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關鍵字： NAND  海力士半導體  快閃記憶體 
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